[发明专利]半导体器件封装以及用于生产该半导体器件封装的方法

说明书

实施例涉及半导体器件封装、用于生产半导体器件封装的方法、以及包括该半导体器件封装的自动聚焦装置。根据实施例的半导体器件封装可以包括：封装主体；扩散部件；以及垂直腔面发射激光器(VCSEL)半导体器件，其被布置在支撑部件上和扩散部件下面。根据实施例，封装主体可以包括支撑部件、从支撑部件的上表面的边缘区域突出到第一厚度并且具有第一宽度的第一上表面的第一侧壁、以及从第一侧壁的第一上表面突出到第二厚度并且具有第二宽度的第二上表面的第二侧壁，其中支撑部件、第一侧壁和第二侧壁可以用相同的材料一体地形成。扩散部件可以被布置在第一侧壁的第一上表面上，并且可以被布置成由第二侧壁包围。

技术领域

实施例涉及半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法、以及包括该半导体器件封装的自动聚焦装置。

背景技术

包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有许多优点，例如宽且易于调节的带隙能，所以该器件能够以各种方式用作发光器件、光接收器件和各种二极管。

特别地，由于薄膜生长技术和器件材料的发展，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够实现具有各种波段的光，例如红光、绿光、蓝光和紫外线。另外，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够通过使用荧光物质或组合颜色来实现具有高效率的白光源。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，这种发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、响应速度快、安全和环保的优点。

此外，随着器件材料的发展，当使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质来制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，通过吸收具有各种波长域的光来生成光电流，使得能够使用具有各种波长域的光，例如从伽马射线到无线电波。另外，上述光接收器件具有诸如响应速度快、安全、环保和易于控制器件材料等的优点，使得光接收器件能够容易地用于功率控制、超高频电路或通信模块。

因此，半导体器件已经应用并且扩展到光通信工具的传输模块、替代构成液晶显示器(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光源、可替代荧光灯或白炽灯泡的白色发光二极管照明设备、车辆前照灯、交通灯和用于检测天然气或火灾的传感器。另外，半导体器件的应用能够扩展到高频应用电路、功率控制设备或通信模块。

例如，发光器件可以被提供为具有通过使用元素周期表中的III-V族元素或II-VI族元素将电能转换成光能的特性的pn结二极管，并且各种波长能够通过调节化合物半导体物质的组分比来实现。

随着半导体器件的应用领域的多样化，半导体器件需要具有高输出和高电压驱动。由于半导体器件的高输出和高电压驱动，半导体器件封装的温度由于半导体器件中生成的热量而增加。因此，存在对于一种有效地散发半导体器件封装中生成的热量的方法的需求。另外，为了产品的小型化，强烈需要半导体器件封装的小型化。因此，存在对于能够在小尺寸的同时有效地散发半导体器件中生成的热量的半导体器件封装的日益增长的需求。

发明内容

技术问题

实施例能够提供尺寸小且散热特性优异的半导体器件封装及其制造方法。

实施例能够提供一种半导体器件封装以及制造方法，该半导体器件封装具有优异的机械稳定性并且能够安全地保护布置在其中的元件免受外部冲击。

实施例能够提供一种半导体器件封装及其制造方法，该半导体器件封装能够提供高输出光并且防止水分渗透到内部。

实施例能够提供一种包括半导体器件封装的自动聚焦装置，其以小尺寸被设置并且能够提供具有优异散热特性的高输出光。

技术解决方案