[发明专利]成像元件、堆叠式成像元件、成像装置和电子装置有效
申请号: | 201780070351.1 | 申请日: | 2017-11-17 |
公开(公告)号: | CN109952652B | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | 氏家康晴;室山雅和;坂东雅史;村田昌树;汲田英之;境川佐知子;平田晋太郎;熊谷裕也;加藤裕 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H10K39/32 | 分类号: | H10K39/32;H10K85/60;H10K101/30 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 王新春;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种成像器件,所述成像器件包括:上电极;下电极;光电转换层,其设置在所述上电极和所述下电极之间;和第一有机半导体材料,其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地,提供了一种电子装置,所述电子装置包括成像器件,所述成像器件包括:上电极;下电极;光电转换层,其设置在所述上电极和所述下电极之间;和第一有机半导体材料,其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。 | ||
搜索关键词: | 成像 元件 堆叠 装置 电子 | ||
【主权项】:
1.一种成像器件,包括:上电极;下电极;光电转换层,其设置在所述上电极和所述下电极之间;和第一有机半导体材料,其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780070351.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。