[发明专利]成像元件、堆叠式成像元件、成像装置和电子装置

权利要求书

1.一种成像器件，包括：

第二电极；

第一电极；

光电转换层，其设置在所述第二电极和所述第一电极之间；和

第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述第二电极和所述第一电极之间，

第二有机半导体材料，其设置在所述光电转换层和所述第二电极之间，

其中所述第二电极包含铟锌氧化物，

其中所述第一电极包含铟锡氧化物，

其中所述光电转换层包含2Ph-苯并噻吩并噻吩和亚酞菁，

其中所述第二有机半导体材料包含以下的至少一种：吡啶、喹啉、吖啶、吲哚、咪唑、苯并咪唑、菲咯啉以及在从400nm到700nm的可见光区域具有吸收且以C60和C70为代表的富勒烯及其衍生物，

其中所述光电转换层的最窄的最高占据分子轨道能级或功函数为-5.6eV到-5.7eV，和

其中所述第一有机半导体材料的最高占据分子轨道能级和所述光电转换层的最窄的最高占据分子轨道能级或功函数之间的差在±0.2eV的范围内。

2.根据权利要求1所述的成像器件，

其中所述第一有机半导体材料设置在所述光电转换层和所述第一电极之间。

3.根据权利要求1或2所述的成像器件，

其中所述吲哚并咔唑衍生物选自：

，以及

其中在通式(1)到(10)中，Ar₁到Ar₂₄各自独立地表示芳基；R₁到R₁₀₈各自独立地表示氢基、烷基、芳基、芳基氨基、具有芳基氨基作为取代基的芳基或咔唑基。

4.根据权利要求3所述的成像器件，

其中所述通式(1)到(10)进一步地选自：

5.根据权利要求3所述的成像器件，其中所述通式(1)到(10)进一步地选自：

6.根据权利要求3所述的成像器件，其中所述通式(1)到(10)进一步地选自：

7.根据权利要求1或2所述的成像器件，其中所述吲哚并咔唑衍生物的吲哚并咔唑骨架具有分子内对称性和5元吡咯环。

8.根据权利要求1或2所述的成像器件，其中所述吲哚并咔唑衍生物的母骨架具有大尺寸并且当向所述母骨架施加热、光和电压时所述吲哚并咔唑衍生物的母骨架无分子旋转。

9.根据权利要求7所述的成像器件，其中当向所述吲哚并咔唑衍生物的母骨架同时施加热、光和电压时所述母骨架无分子旋转。

10.根据权利要求1或2所述的成像器件，其中所述第一有机半导体材料是电子阻挡层。

11.根据权利要求2所述的成像器件，其中所述光电转换层包含选自以下的至少一种材料：晶体硅，非晶硅，微晶硅，晶体硒，非晶硒和化合物半导体以及由这些材料形成的量子点。

12.根据权利要求11所述的成像器件，其中所述化合物半导体为黄铜矿化合物或III-V族化合物以及CdSe、CdS、In₂Se₃、In₂S₃、Bi₂Se₃、Bi₂S₃、ZnSe、ZnS、PbSe、PbS。