[发明专利]成像元件、堆叠式成像元件、成像装置和电子装置

说明书

提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。

相关申请的交叉参考

本申请要求于2016年11月22日提交的日本在先专利申请JP 2016-227291的权益，其全部内容通过引用的方式并入本文。

技术领域

本技术涉及一种成像元件、堆叠式成像元件、成像装置和电子装置。

背景技术

近年来，成像元件的应用越来越广泛并且正在受到很多的关注，其不仅应用在数码相机和便携摄像机中而且应用在智能手机相机、监控摄像机、汽车后置监视器(automotive back monitor)和防撞传感器等中。为了应对各种应用，正尝试改善成像元件的性能及功能多样化，并且在成像元件中继续取得进步。

例如，提出了一种传感器，其包括有机光电转换元件和电压施加单元，该有机光电转换元件具有在一对电极之间的有机光电转换层和设置在一个电极与有机光电转换层之间的有机空穴阻挡层，有机光电转换层包含通过升华而精制的有机化合物，电压施加单元用于在光照射期间向有机光电转换层施加1.0×10⁵V/cm到1.0×10⁷V/cm的电压，其中空穴阻挡层的电离电势是1.3eV或比一个相邻电极的功函数更高并且空穴阻挡层的电子亲和性等于或高于相邻的有机光电转换层的电子亲和性(参见PTL 1)。

此外，提出了一种包括导电薄膜、有机光电转换膜、阻挡层和透明导电薄膜的光电转换元件，其中有机光电转换膜包含具有100℃以上的玻璃化转变温度(Tg)并形成非晶膜的p型有机光电转换材料，并且阻挡层包含具有140℃以上的Tg的阻挡材料(参见PTL 2)。

[引用列表]

[专利文献]

[PTL 1]

JP 4677314B

[PTL 2]

JP 2014-520522A

发明内容

[技术问题]

然而，通过PTL 1和PTL 2中提出的技术，有可能无法进一步改善图像质量和可靠性。

鉴于这种情况完成了本技术，并且本技术的主要目的是提供一种能够进一步地改善图像质量和可靠性的成像元件、堆叠式成像元件、成像装置和电子装置。

[问题的解决方案]

各种实施方案涉及成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。

另外的实施方案涉及电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。

进一步地，所述成像器件的所述第一有机半导体材料可以设置在所述光电转换层和所述下电极之间。在各种实施方案中，所述吲哚并咔唑衍生物可以选自：

，

以及