[发明专利]用于在晶片沉积期间工艺引起的变形预测的系统及方法

摘要

本发明揭示一种系统。所述系统包含工具集群。所述工具集群包含经配置以将第一层沉积于晶片上的第一沉积工具。所述工具集群另外包含经配置以获得所述晶片的一或多个测量的干涉仪工具。所述工具集群另外包含经配置以将第二层沉积于所述晶片上的第二沉积工具。所述工具集群另外包含真空组合件。基于所述一或多个测量确定经配置以调整所述第一沉积工具或所述第二沉积工具中的至少一者的一或多个可校正项。在不破坏由所述真空组合件产生的真空的情况下在所述第一层的所述沉积与所述第二层的所述沉积之间获得所述一或多个测量。

主权项

1.一种系统，其包括：工具集群，所述工具集群包括：第一沉积工具，其经配置以将第一层沉积于晶片上；干涉仪工具，其经配置以获得所述晶片的一或多个测量；第二沉积工具，其经配置以将第二层沉积于所述晶片上；及真空组合件，其中基于所述一或多个测量确定经配置以调整所述第一沉积工具或所述第二沉积工具中的至少一者的一或多个可校正项，其中在不破坏由所述真空组合件产生的真空的情况下在所述第一层的所述沉积与所述第二层的所述沉积之间获得所述一或多个测量。