[发明专利]用于在晶片沉积期间工艺引起的变形预测的系统及方法

权利要求书

1.一种用于工艺引起的变形的预测的系统，其包括：

工具集群，所述工具集群包括：

第一沉积工具，其经配置以将第一层沉积于晶片上；

干涉仪工具，其经配置以获得所述晶片的一或多个测量，其中所述一或多个测量包含所述晶片的一或多个平面外变形OPD测量；

第二沉积工具，其经配置以将第二层沉积于所述晶片上；及

真空组合件，

其中基于所述一或多个测量确定经配置以调整所述第一沉积工具或所述第二沉积工具中的至少一者的一或多个可校正项，

其中在不破坏由所述真空组合件产生的真空的情况下在所述第一层的所述沉积与所述第二层的所述沉积之间获得所述一或多个测量。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述干涉仪工具包括双波长双干涉仪。

3.根据权利要求2所述的系统，其中所述双波长双干涉仪通过照明所述晶片的一或多个表面来获得所述一或多个测量。

4.根据权利要求3所述的系统，其中所述双波长双干涉仪将所述晶片固持于一组基本上平行的参考平面之间的空腔内。

5.根据权利要求4所述的系统，其中所述双波长双干涉仪将所述晶片以基本上垂直定向固持于一组基本上平行的参考平面之间的空腔内。

6.根据权利要求4所述的系统，其中所述双波长双干涉仪将所述晶片以基本上水平定向固持于一组基本上平行的参考平面之间的空腔内。

7.根据权利要求2所述的系统，其中所述双波长双干涉仪包含控制器，其中所述控制器包含一或多个处理器，其中所述控制器包含经配置以存储一或多个程序指令集的存储器，其中所述一或多个处理器经配置以执行所述一或多个程序指令集。

8.根据权利要求7所述的系统，其中所述控制器基于所述晶片的所述一或多个OPD估计所述晶片的一或多个平面内变形IPD。

9.根据权利要求8所述的系统，其中所述控制器基于所述晶片的经估计一或多个IPD确定经配置以调整所述第一沉积工具或所述第二沉积工具中的至少一者的所述一或多个可校正项。

10.根据权利要求9所述的系统，其中所述控制器经由前馈环路提供所述一或多个可校正项以调整所述第一沉积工具。

11.根据权利要求10所述的系统，其中在将所述第一层沉积于第二晶片上之前可基于经提供的一或多个可校正项调整对应于所述第一层的所述第一沉积工具的沉积配方。

12.根据权利要求11所述的系统，其中所述调整对应于所述第一层的所述沉积配方在所述第一层沉积于所述第二晶片上期间减少由所述第一沉积工具沉积的所述第一层中的一或多个误差。

13.根据权利要求9所述的系统，其中所述控制器经由反馈环路提供所述一或多个可校正项以调整所述第二沉积工具。

14.根据权利要求13所述的系统，其中在将第二层沉积于所述晶片上之前可基于经提供的一或多个可校正项调整对应于所述第二层的所述第二沉积工具的沉积配方。

15.根据权利要求14所述的系统，其中所述调整对应于所述第二层的所述沉积配方在所述第二层沉积于所述晶片上期间补偿由所述第一沉积工具沉积的所述第一层中的一或多个误差。

16.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括：

控制器，其中所述控制器包含一或多个处理器，其中所述控制器包含经配置以存储一或多个程序指令集的存储器，其中所述一或多个处理器经配置以执行所述一或多个程序指令集，

其中所述控制器通信地耦合到所述第一沉积工具、所述干涉仪工具或所述第二沉积工具中的至少一者。