[发明专利]基于晶片的光源参数控制有效
| 申请号： | 201780063835.3 | 申请日： | 2017-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN109844648B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | E·A·梅森;O·祖里塔;G·A·瑞克斯泰纳;W·E·康利 | 申请（专利权）人： | 西默有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光刻方法包括从光源产生脉冲光束；使脉冲光束跨光刻曝光设备的衬底扫描以用脉冲光束曝光衬底，包括用脉冲光束曝光衬底的每个子区域。子区域是衬底的整个区域的一部分。对于衬底的每个子区域，接收与衬底的子区域相关联的光刻性能参数；分析所接收的光刻性能参数，并且基于该分析，修改脉冲光束的第一光谱特征，并且保持脉冲光束的第二光谱特征。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 晶片 光源 参数 控制 | ||
【主权项】：
1.一种光刻设备，包括：光源，被配置为产生脉冲光束；光谱特征选择系统，其与所述脉冲光束光学地交互；扫描光学系统，被配置为使所述脉冲光束跨位于光刻设备中的衬底扫描；量测装置，被配置为确定所述衬底的每个子区域处的至少一个光刻性能参数，其中子区域是所述衬底的整个区域的一部分；以及控制系统，连接到所述光谱特征选择系统、所述光源和所述量测装置，并且被配置为在每个衬底子区域处：接收所确定的光刻性能参数；分析所确定的光刻性能参数；以及基于所确定的光刻性能参数的分析：通过向所述光谱特征选择系统发送第一信号来修改所述脉冲光束的第一光谱特征；以及在修改所述脉冲光束的所述第一光谱特征的同时，通过向所述光谱特征选择系统发送第二信号来保持所述脉冲光束的第二光谱特征。
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