[发明专利]基于晶片的光源参数控制有效
| 申请号: | 201780063835.3 | 申请日: | 2017-10-04 |
| 公开(公告)号: | CN109844648B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
| 发明(设计)人: | E·A·梅森;O·祖里塔;G·A·瑞克斯泰纳;W·E·康利 | 申请(专利权)人: | 西默有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;吕世磊 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 晶片 光源 参数 控制 | ||
1.一种光刻设备,包括:
光源,被配置为产生脉冲光束;
光谱特征选择系统,其与所述脉冲光束光学地交互;
扫描光学系统,被配置为使所述脉冲光束跨位于光刻设备中的衬底扫描;
量测装置,被配置为确定所述衬底的每个子区域处的至少一个光刻性能参数,其中子区域是所述衬底的整个区域的一部分,并且其中光刻性能参数是与所述衬底相关联的特性或者是所述脉冲光束同所述衬底交互时与所述脉冲光束相关联的特性;以及
控制系统,连接到所述光谱特征选择系统、所述光源和所述量测装置,并且被配置为在每个衬底子区域处:
接收所确定的光刻性能参数;
分析所确定的光刻性能参数;以及
基于所确定的光刻性能参数的分析:
通过向所述光谱特征选择系统发送第一信号来修改所述脉冲光束的第一光谱特征,并且其中所述第一光谱特征的所述修改引起所述脉冲光束的第二光谱特征的改变;以及
调节所述脉冲光束的所述第二光谱特征以补偿由所述第一光谱特征的修改引起的所述第二光谱特征的改变,其中调节所述第二光谱特征包括在修改所述脉冲光束的所述第一光谱特征的同时,向所述光谱特征选择系统发送第二信号。
2.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述衬底的每个子区域是所述衬底的曝光场,或者每个子区域对应于所述光束的单个脉冲。
3.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述光谱特征选择系统包括光谱特征致动机构,所述光谱特征致动机构包括致动系统,所述致动系统被配置为引起所述光谱特征致动机构的一个或多个元件被改变,从而改变与所述脉冲光束的交互。
4.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述光刻性能参数包括所述衬底的位置距期望位置的平均偏移和所述衬底的平台振动中的一项或多项。
5.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述光刻性能参数包括从所述衬底的中央子区域到所述衬底的边缘处的子区域变化的所述衬底的位置。
6. 根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述光谱特征选择系统包括:
色散光学元件和扩束器,所述扩束器包括至少三个折射光学元件,所述脉冲光束与所述色散光学元件和所述至少三个折射光学元件中的每个光学元件交互;以及
包括多个致动器的致动系统,所述多个致动器中的每个致动器引起所述至少三个折射光学元件中的一个折射光学元件相对于所述脉冲光束旋转;
其中所述致动系统包括与所述折射光学元件中的至少一个折射光学元件相关联的快速致动器,所述快速致动器包括旋转台,所述旋转台围绕旋转轴线旋转并且包括与相关联的折射光学元件机械链接以使所述相关联的折射光学元件围绕所述旋转轴线旋转的区域。
7.根据权利要求6所述的光刻设备,其中第一折射光学元件的旋转引起所述脉冲光束的所述第二光谱特征以相对粗略的方式改变,第二折射光学元件的旋转引起所述脉冲光束的所述第一光谱特征以相对精细的方式改变,并且第三折射光学元件的旋转引起所述脉冲光束的所述第二光谱特征以相对精细的方式改变。
8.根据权利要求7所述的光刻设备,其中所述扩束器包括第四折射光学元件,并且所述第四折射光学元件的旋转引起所述脉冲光束的所述第一光谱特征以相对粗略的方式改变。
9. 根据权利要求1所述的光刻设备,其中:
所述控制系统通过确定所述光刻性能参数是否在可接受范围之外来分析所确定的光刻性能参数;以及
如果确定所述光刻性能参数在可接受范围之外,则所述控制系统通过向所述光谱特征选择系统发送信号来修改所述脉冲光束的所述第一光谱特征。
10.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述扫描光学系统被配置为沿横向平面使所述脉冲光束和所述衬底中的一个或多个相对于彼此移动,使得所述脉冲光束与所述衬底的每个子区域交互,其中所述横向平面垂直于所述脉冲光束沿其被引导的轴向方向。
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