[发明专利]基于晶片的光源参数控制

说明书

一种光刻方法包括从光源产生脉冲光束；使脉冲光束跨光刻曝光设备的衬底扫描以用脉冲光束曝光衬底，包括用脉冲光束曝光衬底的每个子区域。子区域是衬底的整个区域的一部分。对于衬底的每个子区域，接收与衬底的子区域相关联的光刻性能参数；分析所接收的光刻性能参数，并且基于该分析，修改脉冲光束的第一光谱特征，并且保持脉冲光束的第二光谱特征。

相关申请的交叉引用

本申请涉及于2016年10月17日提交的美国申请No.15/295,280，该申请通过引用整体并入本文。

技术领域

所公开的主题涉及一种用于通过调节朝向晶片被引导的脉冲光束的光谱特征来在晶片扫描期间补偿光刻性能参数的变化的装置。

背景技术

在半导体光刻(或光刻技术)中，集成电路(IC)的制造需要在半导体(例如，硅)衬底(也称为晶片)上执行的各种物理和化学工艺。光刻曝光设备或扫描仪是一种将期望图案施加到衬底的目标部分上的机器。晶片固定到平台，使得晶片总体上沿由扫描仪的正交的X_L和Y_L方向限定的平面延伸。通过光束照射晶片，该光束的波长在深紫外(DUV)范围内。光束沿轴向方向行进，该轴向方向与扫描仪的Z_L方向相对应。扫描仪的Z_L方向与横向X_L-Y_L平面正交。光束穿过光束传输单元，通过掩模版(或掩模)被过滤，并且然后投射到准备好的晶片上。以这种方式，芯片设计被图案化到光刻胶上，光刻胶然后被蚀刻和清洗，并且然后该过程重复。

发明内容

在一些总体方面中，一种光刻设备包括：被配置为产生脉冲光束的光源；与脉冲光束光学地交互的光谱特征选择系统；被配置为使脉冲光束跨位于光刻设备中的衬底扫描的扫描光学系统；被配置为确定衬底的每个子区域处的至少一个光刻性能参数的量测装置，其中子区域是衬底的整个区域的一部分；以及连接到光谱特征选择系统、光源和量测装置的控制系统。控制系统被配置为在每个衬底子区域处：接收所确定的光刻性能参数；分析所确定的光刻性能参数；并且基于所确定的光刻性能参数的分析：通过向光谱特征选择系统发送第一信号来修改脉冲光束的第一光谱特征；以及在修改脉冲光束的第一光谱特征的同时，通过向光谱特征选择系统发送第二信号来保持脉冲光束的第二光谱特征。

实现可以包括以下特征中的一个或多个。例如，衬底的每个子区域可以是衬底的曝光场，或者每个子区域可以对应于光束的单个脉冲。

光谱特征选择系统可以包括光谱特征致动机构，该光谱特征致动机构包括致动系统，该致动系统被配置为引起光谱特征致动机构的一个或多个元件被改变，从而改变与脉冲光束的交互。控制系统可以连接到光谱特征致动机构的致动系统，使得第一信号被发送到光谱特征致动机构的致动系统并且第二信号被发送到光谱特征致动机构的致动系统。

光刻性能参数可以是衬底的物理性质。控制系统可以被配置为针对衬底的每个子区域接收衬底的物理性质的所确定的值。衬底的物理性质可以包括衬底的位置距期望位置的平均偏移和衬底的平台振动中的一项或多项。衬底的物理性质可以是从衬底的中央子区域到衬底的边缘处的子区域变化的衬底的位置。