[发明专利]具有超晶格的Ⅲ-P发光器件有效
| 申请号： | 201780060367.4 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109952659B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | L.布萨尔;T.庄;S.蔡;E.C.纳尔逊;P.P.德布 | 申请（专利权）人： | 亮锐有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/30;H01L33/00;H01L33/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈俊;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种器件，包括半导体结构，该半导体结构包括设置在n型区和p型区之间的Ⅲ‑P发光层。n型区包括超晶格。超晶格包括多个堆叠的层对，每个层对包括第一层和第二层。第一层具有比第二层更小的铝组分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶格 发光 器件 | ||
【主权项】：
1. 一种器件，包括：半导体结构，包括设置在n型区和p型区之间的Ⅲ‑P发光层，所述n型区包括超晶格；以及在所述超晶格的与Ⅲ‑P发光层相对的表面上并与之接触的n接触金属，所述超晶格包括多个堆叠的层对，每个层对包括AlxGa1‑xInP（其中0<x<1）的第一层和AlyGa1‑yInP（其中0<y<1）的第二层，所述第一层具有比所述第二层更小的铝组分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亮锐有限责任公司，未经亮锐有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780060367.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
