[发明专利]具有超晶格的Ⅲ-P发光器件

说明书

一种器件，包括半导体结构，该半导体结构包括设置在n型区和p型区之间的Ⅲ‑P发光层。n型区包括超晶格。超晶格包括多个堆叠的层对，每个层对包括第一层和第二层。第一层具有比第二层更小的铝组分。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年7月28日提交的美国临时专利申请号 62/367935、2017年7月26日提交的美国专利申请号15/660602和2016年9月29日提交的欧洲专利申请号16191414.8的优先权。美国临时专利申请号62/367935、美国专利申请号15/660602和欧洲专利申请号16191414.8并入本文。

背景技术

相关技术的描述

发光二极管（LED）在许多需要低功耗、小尺寸和高可靠性的应用中被广泛接受作为光源。在可见光谱的黄绿色至红色区中发射光的能量高效的二极管通常包含由AlGaInP合金形成的有源层。在可见光谱的UV到蓝色到绿色区中发射光的能量高效的二极管通常包含由III族氮化物合金形成的有源层。

图1是在US 6057563中稍微详细地描述的现有技术AlGaInP器件的截面视图。图1的器件包括：第一导电类型的GaAs衬底10；由AlAs/GaAs构成、并形成在衬底10上的布拉格反射器层11；在布拉格反射器层11上生长的第一导电类型的AlGaInP限制层12；在AlGaInP限制层12上生长的导电AlGaInP有源层13；在AlGaInP有源层13上生长的第二导电类型的AlGaInP限制层14；在AlGaInP限制层14上生长的多个导电GaInP/AlGaInP超晶格层15；在导电AlGaInP超晶格层15上生长的第二导电类型的欧姆接触层16；形成在欧姆接触层16顶部上的前接触17；以及形成在衬底10的背侧上的后接触18。

US 6057563教导“根据本发明的具有透光窗口的LED可以通过使得电流能够均匀地流过整个LED芯片并增加窗口层的透明度来提供明亮且均匀的亮度。

发明内容

在一个方面，提供了一种发光器件，其包括半导体结构，该半导体结构包括设置在n型区和p型区之间的Ⅲ-P发光层，n型区包括超晶格、以及在超晶格的与Ⅲ-P发光层相对的表面上并与之接触的n接触金属。超晶格包括多个堆叠的层对，每个层对包括AlxGa1-xInP（其中0x1）的第一层和AlyGa1-yInP（其中0y1）的第二层，第一层具有比第二层更小的铝组分。

在另一方面，提供了一种发光器件，其包括半导体结构，该半导体结构包括设置在n型区和p型区之间的Ⅲ-P发光层，n型区包括超晶格，在超晶格的与Ⅲ-P发光层相对的表面上并与之接触电流扩散层；以及在电流扩散层上并与之接触的n接触。超晶格包括多个堆叠的层对，每个层对包括AlxGa1-xInP（其中0 x 1）的第一层和AlyGa1-yInP（其中0 y 1）的第二层，第一层具有比第二层更小的铝组分。

在又一方面，提供了一种方法，该方法包括在生长衬底上生长n型超晶格，该超晶格包括多个堆叠的层对，每个层对包括AlGaInP的第一层和AlGaInP的第二层，第一层具有比第二层更小的铝组分；在p型区上形成第一金属接触；在n型超晶格上直接生长发光区；在发光区上生长p型区；移除生长衬底以暴露超晶格的表面；并且在超晶格的暴露表面上直接形成第二金属接触。

附图说明

图1图示了现有技术的AlGaInP LED器件。

图2是在衬底上生长的AlGaInP器件结构的截面视图。

图3是在形成接触并移除生长衬底之后的图2的AlGaInP器件结构的截面视图。

图4是诸如图3的器件的薄膜AlInGaP器件的俯视图。

具体实施方式