[发明专利]具有超晶格的Ⅲ-P发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

半导体结构，包括设置在n型区和p型区之间的Ⅲ-P发光层，所述n型区包括超晶格；以及

在所述超晶格的与Ⅲ-P发光层相对的表面上并与之接触的n接触金属，

所述超晶格包括多个层对，每个层对包括Al_xGa_1-xInP的第一层和Al_yGa_1-yInP的第二层，其中0x1，其中0y1，所述第一层具有比所述第二层更小的铝组分。

2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：

设置在所述p型区上的接触。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中0.3≤x≤0.4且0.4≤y≤0.5。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中0.2≤x≤0.5且0.3≤y≤0.65。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一和第二层掺杂有n型掺杂剂。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一和第二层中的至少一个相对于生长所述半导体结构的生长衬底是应变的。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述超晶格与生长所述半导体结构的生长衬底晶格匹配。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述超晶格层用跨所述超晶格变化的掺杂分布掺杂。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一层比所述第二层更高掺杂。

10.一种形成发光器件的方法，包括：

在生长衬底上生长n型超晶格，所述超晶格包括多个层对，每个层对包括AlGaInP的第一层和AlGaInP的第二层，所述第一层具有比所述第二层更小的铝组分；

在p型区上形成第一金属接触；

在所述n型超晶格上直接生长发光区；

在所述发光区上生长p型区；

移除所述生长衬底以暴露所述超晶格的表面；并且

在所述超晶格的暴露表面上直接形成第二金属接触。

11.根据权利要求10所述的方法，其中0.2≤x≤0.5且0.3≤y≤0.65。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括将所述超晶格与所述生长衬底晶格匹配。

13.根据权利要求10所述的方法，还包括生长相对于所述生长衬底应变的所述第一和第二层中的至少一个。

14.根据权利要求10所述的方法，还包括粗糙化或图案化所述超晶格的暴露表面。

15.根据权利要求10所述的方法，其中在所述超晶格的暴露表面上直接形成第二金属接触包括：

在所述超晶格的表面上直接形成金属层；并且

图案化所述金属层以形成某种形状的第二金属接触，所述形状在平面图中具有不小于1微米并且不大于30微米的宽度。