[发明专利]均衡存储器单元的不同块的擦除深度

摘要

本发明公开了存储器设备和相关联技术，它们为存储器单元的不同块提供均匀的擦除深度，所述存储器单元的不同块与电压源的通道栅极的距离不同。在一种方法中，存储器串的源极侧选择栅极晶体管的电压是所述距离的递减函数。在另一种方法中，存储器串的源极端处的擦除电压的量值或持续时间是所述距离的递增函数。相邻的块可以被布置在子集中并且被视为处于共同的距离。在另一种方法中，当块的距离超过阈值时，可以施加附加的擦除脉冲。其他变量诸如初始擦除电压和步长大小也可以作为距离的函数进行调节。

主权项

1.一种装置，包括：存储器单元(702‑716、722‑736、742‑756、762‑776)的多个块(BLK0‑3)，所述存储器单元被布置成串(NS1、NS2、700n、710n、720n和730n)，每个串包括源极端(613)、漏极端(615)、在所述源极端与所述漏极端之间延伸的沟道(700a、710a、720a、730a)、以及在所述源极端处的选择栅极晶体管(700、701、720、721、740、741、760、761)；电压源(2120)，所述电压源包括通道栅极(2124)并提供选择栅极电压；电压源(SLVS，2130)，所述电压源提供源极端电压；和控制电路(110、122)，所述控制电路被配置为在对所述多个块中的所选择的块的擦除操作中，将所述选择栅极电压连接至所述选择栅极晶体管，并且将所述源极端电压连接至所述源极端，以为所选择的块的每个串的所述沟道充电，其中每个选择栅极晶体管具有正的沟道至控制栅极电压，并且所述源极端电压减去所述选择栅极电压的量值基于所选择的块距所述通道栅极的距离(d0、d1和d2)的递增函数。