[发明专利]均衡存储器单元的不同块的擦除深度

权利要求书

1.一种装置，包括：

存储器单元的多个块，所述存储器单元被布置成串，每个串包括源极端、漏极端、在所述源极端与所述漏极端之间延伸的沟道、以及在所述源极端处的选择栅极晶体管；

第一电压源，所述第一电压源包括通道栅极并提供选择栅极电压；

第二电压源，所述第二电压源提供源极端电压；和

控制电路，所述控制电路被配置为在对所述多个块中的所选择的块的擦除操作中，将所述选择栅极电压连接至所述选择栅极晶体管，并且将所述源极端电压连接至所述源极端，以由栅致漏极泄漏为所选择的块的每个串的所述沟道充电，其中每个选择栅极晶体管具有正的沟道至控制栅极电压，并且所述源极端电压减去所述选择栅极电压的量值基于所选择的块距所述通道栅极的距离的递增函数。

2.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述控制电路被配置为通过擦除循环中的步长大小来增加所述源极端电压；并且

所述擦除循环中的所述源极端电压的初始量值基于所述距离的递增函数。

3.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述控制电路被配置为通过擦除循环中的步长大小来增加所述源极端电压；并且

所述步长大小是所述距离的递增函数。

4.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述源极端电压的持续时间基于所述距离的递增函数。

5.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述控制电路被配置为响应于确定温度低于阈值，基于所述距离的递增函数来设定所述源极端电压的持续时间。

6.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述存储器单元连接至字线；并且

在所述擦除操作中，所述控制电路被配置为向所述字线施加电压，所述电压基于所述距离的递减函数。

7.根据权利要求1所述的装置，其中：

用于执行所述擦除操作的所述控制电路被配置为在一系列擦除循环中，将所述选择栅极电压连接至所述选择栅极晶体管并将所述源极端电压连接至所述源极端，以及在每个擦除循环中执行验证测试，其中在通过所述验证测试之后，所述控制电路被配置为如果所述距离超过阈值，则向所选择的块提供附加的擦除脉冲。

8.根据权利要求1所述的装置，其中：

对于最靠近所述通道栅极的块，所述量值最低，并且对于最远离所述通道栅极的块，所述量值最高。

9.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述源极端电压的量值与所述距离无关。

10.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述存储器单元连接至字线；并且

在所述擦除操作中，所述控制电路被配置为当每个串的所述沟道充电时为所述存储器单元设定小于所述选择栅极的控制栅极电压。

11.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述控制电路被配置为响应于确定温度高于阈值，基于所述距离的递增函数来设定所述源极端电压的量值。

12.根据权利要求1所述的装置，其中：

所选择的块的每个串的所述源极端包括源极扩散区，所述源极扩散区对于所述多个块是共用的；并且

所述控制电路被配置为在所述多个块中的每个块的擦除操作期间提供所述源极端电压的共同量值和持续时间。

13.一种方法，包括：

与存储器单元的选择的块的擦除操作结合，其中所述存储器单元被布置成串，每个串包括源极端、漏极端、在所述源极端与所述漏极端之间延伸的沟道、以及选择栅极晶体管：

提供处于导通状态的电压源的通道栅极，以将来自所述电压源的选择栅极电压传递到每个选择栅极晶体管，同时向每个串的所述源极端提供源极端电压，其中所述选择栅极电压基于所述通道栅极与所选择的块之间的距离的函数。