[发明专利]半导体装置和显示装置在审
| 申请号： | 201780057618.3 | 申请日： | 2017-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109716533A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 松木园广志 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G09F9/30 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;张艳凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置(100A)具备：基板(1)；第1栅极电极(2)，其设置在基板上；第1栅极绝缘层(3)，其覆盖第1栅极电极；第1氧化物半导体层(4)，其隔着第1栅极绝缘层与第1栅极电极相对；第1源极电极(5)和第1漏极电极(6)，其电连接到第1氧化物半导体层；第2栅极绝缘层(7)，其覆盖第1氧化物半导体层；第2栅极电极(8)，其隔着第2栅极绝缘层与第1氧化物半导体层相对；第3栅极绝缘层(9)，其覆盖第2栅极电极；第2氧化物半导体层(10)，其隔着第3栅极绝缘层与第2栅极电极相对；以及第2源极电极(11)和第2漏极电极(12)，其电连接到第2氧化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体层 栅极绝缘层 栅极电极 半导体装置 漏极电极 源极电极 电连接 基板 覆盖 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；第1栅极电极，其设置在上述基板上；第1栅极绝缘层，其覆盖上述第1栅极电极；第1氧化物半导体层，其设置在上述第1栅极绝缘层上，隔着上述第1栅极绝缘层与上述第1栅极电极相对；第1源极电极和第1漏极电极，其电连接到上述第1氧化物半导体层；第2栅极绝缘层，其覆盖上述第1氧化物半导体层；第2栅极电极，其设置在上述第2栅极绝缘层上，隔着上述第2栅极绝缘层与上述第1氧化物半导体层相对；第3栅极绝缘层，其覆盖上述第2栅极电极；第2氧化物半导体层，其设置在上述第3栅极绝缘层上，隔着上述第3栅极绝缘层与上述第2栅极电极相对；以及第2源极电极和第2漏极电极，其电连接到上述第2氧化物半导体层。
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