[发明专利]半导体装置和显示装置在审
| 申请号： | 201780057618.3 | 申请日： | 2017-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109716533A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 松木园广志 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G09F9/30 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;张艳凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体层 栅极绝缘层 栅极电极 半导体装置 漏极电极 源极电极 电连接 基板 覆盖 显示装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
基板；
第1栅极电极，其设置在上述基板上；
第1栅极绝缘层，其覆盖上述第1栅极电极；
第1氧化物半导体层，其设置在上述第1栅极绝缘层上，隔着上述第1栅极绝缘层与上述第1栅极电极相对；
第1源极电极和第1漏极电极，其电连接到上述第1氧化物半导体层；
第2栅极绝缘层，其覆盖上述第1氧化物半导体层；
第2栅极电极，其设置在上述第2栅极绝缘层上，隔着上述第2栅极绝缘层与上述第1氧化物半导体层相对；
第3栅极绝缘层，其覆盖上述第2栅极电极；
第2氧化物半导体层，其设置在上述第3栅极绝缘层上，隔着上述第3栅极绝缘层与上述第2栅极电极相对；以及
第2源极电极和第2漏极电极，其电连接到上述第2氧化物半导体层。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
上述第1源极电极和上述第2源极电极相互电连接，
上述第1漏极电极和上述第2漏极电极相互电连接。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
上述第1栅极电极、上述第1栅极绝缘层、上述第1氧化物半导体层、上述第1源极电极、上述第1漏极电极、上述第2栅极绝缘层、上述第2栅极电极、上述第3栅极绝缘层、上述第2氧化物半导体层、上述第2源极电极以及上述第2漏极电极作为包含上述第1氧化物半导体层和上述第2氧化物半导体层作为活性层的1个氧化物半导体TFT发挥功能。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
上述第1源极电极和上述第2源极电极不相互电连接，
上述第1漏极电极和上述第2漏极电极不相互电连接。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，
上述第1栅极电极、上述第1栅极绝缘层、上述第1氧化物半导体层、上述第1源极电极、上述第1漏极电极、上述第2栅极绝缘层以及上述第2栅极电极作为包含上述第1氧化物半导体层作为活性层的第1氧化物半导体TFT发挥功能，
上述第2栅极电极、上述第3栅极绝缘层、上述第2氧化物半导体层、上述第2源极电极以及上述第2漏极电极作为包含上述第2氧化物半导体层作为活性层的第2氧化物半导体TFT发挥功能。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，
上述第1源极电极和上述第2源极电极相互电连接，
上述第1漏极电极和上述第2漏极电极不相互电连接。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
上述第1源极电极和上述第2源极电极不相互电连接，
上述第1漏极电极和上述第2漏极电极相互电连接。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的半导体装置，
还具备包含结晶质硅半导体层作为活性层的结晶质硅TFT。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，
上述结晶质硅TFT包含：
上述结晶质硅半导体层，其设置在上述基板上；
上述第1栅极绝缘层，其覆盖上述结晶质硅半导体层；
第3栅极电极，其设置在上述第1栅极绝缘层上，隔着上述第1栅极绝缘层与上述结晶质硅半导体层相对；以及
第3源极电极和第3漏极电极，其电连接到上述结晶质硅半导体层。
10.根据权利要求8或9所述的半导体装置，
上述第1栅极电极与上述结晶质硅半导体层由相同结晶质硅膜形成。
11.根据权利要求1至10中的任意一项所述的半导体装置，
上述第1氧化物半导体层和上述第2氧化物半导体层各自包含In-Ga-Zn-O系半导体。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，
上述In-Ga-Zn-O系半导体包含结晶质部分。
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