[发明专利]半导体装置和显示装置

说明书

半导体装置(100A)具备：基板(1)；第1栅极电极(2)，其设置在基板上；第1栅极绝缘层(3)，其覆盖第1栅极电极；第1氧化物半导体层(4)，其隔着第1栅极绝缘层与第1栅极电极相对；第1源极电极(5)和第1漏极电极(6)，其电连接到第1氧化物半导体层；第2栅极绝缘层(7)，其覆盖第1氧化物半导体层；第2栅极电极(8)，其隔着第2栅极绝缘层与第1氧化物半导体层相对；第3栅极绝缘层(9)，其覆盖第2栅极电极；第2氧化物半导体层(10)，其隔着第3栅极绝缘层与第2栅极电极相对；以及第2源极电极(11)和第2漏极电极(12)，其电连接到第2氧化物半导体层。

技术领域

本发明涉及半导体装置，特别是涉及使用氧化物半导体层作为TFT的活性层的半导体装置。另外，本发明也涉及具备这样的半导体装置作为有源矩阵基板的显示装置。

背景技术

液晶显示装置等使用的有源矩阵基板按每个像素具备薄膜晶体管(Thin FilmTransistor；以下称为“TFT”)等开关元件。作为这种开关元件，以往，广泛使用将非晶硅膜作为活性层的TFT(以下称为“非晶硅TFT”)、将多晶硅膜作为活性层的TFT(以下称为“多晶硅TFT”)。

近年来，提出了使用氧化物半导体来代替非晶硅、多晶硅作为TFT的活性层的材料。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。专利文献1中公开了将In-Ga-Zn-O系的半导体膜用于TFT的活性层的有源矩阵基板。

氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT能以比非晶硅TFT高的速度进行动作。另外，氧化物半导体膜与多晶硅膜相比由简单的工艺形成，因此也能应用于需要大面积的装置。

另一方面，已知将栅极驱动器、源极驱动器等驱动电路单片(一体)地设置在基板上的技术。这些驱动电路(单片驱动器)通常使用TFT来构成。最近，已利用使用氧化物半导体TFT在基板上制作单片驱动器的技术，由此，实现边框区域的窄小化(窄边框化)、安装工序简略化所带来的成本降低。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2012-134475号公报

发明内容

发明要解决的问题

最近，要求有源矩阵基板的性能的进一步提高，希望进一步提高用作开关元件的氧化物半导体TFT的驱动能力。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提高半导体装置所使用的氧化物半导体TFT的驱动能力。

用于解决问题的方案

本发明的实施方式的半导体装置具备：基板；第1栅极电极，其设置在上述基板上；第1栅极绝缘层，其覆盖上述第1栅极电极；第1氧化物半导体层，其设置在上述第1栅极绝缘层上，隔着上述第1栅极绝缘层与上述第1栅极电极相对；第1源极电极和第1漏极电极，其电连接到上述第1氧化物半导体层；第2栅极绝缘层，其覆盖上述第1氧化物半导体层；第2栅极电极，其设置在上述第2栅极绝缘层上，隔着上述第2栅极绝缘层与上述第1氧化物半导体层相对；第3栅极绝缘层，其覆盖上述第2栅极电极；第2氧化物半导体层，其设置在上述第3栅极绝缘层上，隔着上述第3栅极绝缘层与上述第2栅极电极相对；以及第2源极电极和第2漏极电极，其电连接到上述第2氧化物半导体层。

在某实施方式中，上述第1源极电极和上述第2源极电极相互电连接，上述第1漏极电极和上述第2漏极电极相互电连接。