[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201780053396.8 | 申请日: | 2017-04-03 |
公开(公告)号: | CN109643642B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 春本将彦;金山幸司;田中裕二;浅井正也 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/30;G03F7/32;G03F7/40 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;宋晓宝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 调温部C1对向显影喷嘴21供给的显影液的温度进行调节。调温部C2、C3分别对向冲洗喷嘴31以及背部冲洗喷嘴35供给的冲洗液的温度进行调节。调温部C4对向处理喷嘴41供给的处理液的温度进行调节。调温部C2、C3、C4将冲洗液及处理液的温度调节在恒定的范围内。在抗蚀剂膜F1的显影处理后,一边将基板W的温度调节在恒定范围内,一边以覆盖抗蚀剂图案FP1的方式在基板的一面形成具有比抗蚀剂膜的耐蚀刻性高的耐蚀刻性的反转膜F2。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,对在一面形成有由感光性材料构成的抗蚀剂膜的基板进行处理,其中,所述基板处理装置具有:显影处理部,通过使用显影液进行所述抗蚀剂膜的显影处理,在基板的所述一面形成抗蚀剂图案;以及反转膜形成部,在由所述显影处理部进行显影处理后,一边将基板的温度调节在恒定范围内,一边以覆盖所述抗蚀剂图案的方式在基板的所述一面形成具有比所述抗蚀剂膜的耐蚀刻性高的耐蚀刻性的反转膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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