[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201780053396.8 | 申请日: | 2017-04-03 |
公开(公告)号: | CN109643642B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 春本将彦;金山幸司;田中裕二;浅井正也 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/30;G03F7/32;G03F7/40 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;宋晓宝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,对在一面形成有由感光性材料构成的抗蚀剂膜的基板进行处理,其中,
所述基板处理装置具有:
显影处理部,通过使用显影液进行所述抗蚀剂膜的显影处理,在基板的所述一面形成抗蚀剂图案;以及
反转膜形成部,在由所述显影处理部进行显影处理后,一边将基板的温度调节在恒定范围内,一边以覆盖所述抗蚀剂图案的方式在基板的所述一面形成具有比所述抗蚀剂膜的耐蚀刻性高的耐蚀刻性的反转膜,
所述反转膜形成部包括:
冲洗液温度调节部,将冲洗液的温度调节在所述恒定范围内;
处理液温度调节部,将由所述反转膜的材料构成的处理液的温度调节在所述恒定范围内;
冲洗液供给部,将通过所述冲洗液温度调节部调节了温度的冲洗液向基板供给;以及
处理液供给部,在由所述冲洗液供给部供给冲洗液后,向基板的所述一面供给通过所述处理液温度调节部调节了温度的处理液。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述冲洗液供给部包括向基板的所述一面喷出冲洗液的第一冲洗喷嘴。
3.如权利要求2所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还包括保持基板并使该基板旋转的旋转保持部;
在由所述第一冲洗喷嘴供给的冲洗液残留于基板的所述一面且由所述旋转保持部使基板旋转的状态下,所述处理液供给部向基板的所述一面供给所述处理液。
4.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述冲洗液供给部包括第二冲洗喷嘴,该第二冲洗喷嘴向基板的与所述一面相反一侧的另一面喷出冲洗液。
5.一种基板处理装置,对在一面形成有由感光性材料构成的抗蚀剂膜的基板进行处理,其中,
所述基板处理装置具有:
显影处理部,通过使用显影液进行所述抗蚀剂膜的显影处理,在基板的所述一面形成抗蚀剂图案;以及
反转膜形成部,在由所述显影处理部进行显影处理后,一边将基板的温度调节在恒定范围内,一边以覆盖所述抗蚀剂图案的方式在基板的所述一面形成具有比所述抗蚀剂膜的耐蚀刻性高的耐蚀刻性的反转膜,
所述反转膜形成部包括:
处理液温度调节部,将由所述反转膜的材料构成的处理液的温度调节在所述恒定范围内;以及
处理液供给部,在由所述显影处理部供给的显影液残留于基板的所述一面上的状态下,向基板的所述一面供给通过所述处理液温度调节部调节了温度的处理液。
6.一种基板处理方法,对在一面形成有由感光性材料构成的抗蚀剂膜的基板进行处理,其中,
所述基板处理方法包括:
通过进行所述抗蚀剂膜的显影处理,在基板的所述一面形成抗蚀剂图案的工序;以及
在由显影处理部进行显影处理后,一边将基板的温度调节在恒定范围内,一边以覆盖所述抗蚀剂图案的方式在基板的所述一面形成具有比所述抗蚀剂膜的耐蚀刻性高的耐蚀刻性的反转膜的工序,
形成所述反转膜的工序包括:
将冲洗液的温度调节在所述恒定范围内的工序;
将由所述反转膜的材料构成的处理液的温度调节在所述恒定范围内的工序;
通过冲洗液供给部将调节了温度的所述冲洗液向基板供给的工序;以及
在由所述冲洗液供给部供给冲洗液后,向基板的所述一面供给调节了温度的所述处理液的工序。
7.一种基板处理方法,对在一面形成有由感光性材料构成的抗蚀剂膜的基板进行处理,其中,
所述基板处理方法包括:
通过进行所述抗蚀剂膜的显影处理,在基板的所述一面形成抗蚀剂图案的工序;以及
在由显影处理部进行显影处理后,一边将基板的温度调节在恒定范围内,一边以覆盖所述抗蚀剂图案的方式在基板的所述一面形成具有比所述抗蚀剂膜的耐蚀刻性高的耐蚀刻性的反转膜的工序,
形成所述反转膜的工序包括:
将由所述反转膜的材料构成的处理液的温度调节在所述恒定范围内的工序;以及
在由所述显影处理部供给至基板的显影液残留于基板的所述一面上的状态下,向基板的所述一面供给调节了温度的所述处理液的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造