[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

调温部C1对向显影喷嘴21供给的显影液的温度进行调节。调温部C2、C3分别对向冲洗喷嘴31以及背部冲洗喷嘴35供给的冲洗液的温度进行调节。调温部C4对向处理喷嘴41供给的处理液的温度进行调节。调温部C2、C3、C4将冲洗液及处理液的温度调节在恒定的范围内。在抗蚀剂膜F1的显影处理后，一边将基板W的温度调节在恒定范围内，一边以覆盖抗蚀剂图案FP1的方式在基板的一面形成具有比抗蚀剂膜的耐蚀刻性高的耐蚀刻性的反转膜F2。

技术领域

本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理装置及基板处理方法。

背景技术

为了对半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板等各种基板进行各种处理，使用基板处理装置。

在光刻工序中，通过对由感光性材料构成的抗蚀剂膜进行曝光处理以及显影处理，形成抗蚀剂图案。近年来，因图案的微细化，抗蚀剂图案的倒塌(图案倒塌)以及蚀刻所引起的抗蚀剂图案的变形等成为问题。因此，提出如下方案：在形成抗蚀剂图案后，形成抗蚀剂图案的反转图案，并将该反转图案用作蚀刻掩膜(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：专利第5773176号公报

发明内容

发明要解决的问题

具体而言，在形成抗蚀剂图案后，以覆盖抗蚀剂图案的方式形成反转膜。接着，以抗蚀剂图案露出的方式进行反转膜的蚀刻。然后，利用蚀刻将抗蚀剂图案去除，由此，获得具有与抗蚀剂图案对应的槽部的反转图案。然而，若反转膜的膜厚不均匀，则存在在反转膜的蚀刻后抗蚀剂图案的一部分不露出的情况。由此，存在如下情况：形成的反转图案的槽部与抗蚀剂图案不对应，从而无法合适地获得所期望的反转图案。

本发明的目的在于，提供一种能够在基板上合适地形成所期望的反转图案的基板处理装置及基板处理方法。

解决问题的手段

(1)本发明的一技术方案的基板处理装置，对在一面形成有由感光性材料构成的抗蚀剂膜的基板进行处理，其中，所述基板处理装置具有：显影处理部，通过使用显影液进行抗蚀剂膜的显影处理，在基板的一面形成抗蚀剂图案；以及反转膜形成部，在由显影处理部进行显影处理后，一边将基板的温度调节在恒定范围内，一边以覆盖抗蚀剂图案的方式在基板的一面形成具有比抗蚀剂膜的耐蚀刻性高的耐蚀刻性的反转膜。

在该基板处理装置中，以覆盖由显影处理形成的抗蚀剂图案的方式，在基板的一面上形成具有比抗蚀剂膜的耐蚀刻性高的耐蚀刻性的反转膜。由于在形成反转膜时基板的温度被调节在恒定范围内，因此，能够使反转膜的膜厚变得均匀。在该情况下，通过对反转膜进行蚀刻，使抗蚀剂图案合适地露出，从而能够将抗蚀剂图案合适地去除。由此，能够合适地形成具有与抗蚀剂图案对应的槽部的反转图案。因此，能够在基板上合适地形成所期望的反转图案。

(2)反转膜形成部也可以包括：冲洗液温度调节部，将冲洗液的温度调节在恒定范围内；冲洗液供给部，将通过冲洗液温度调节部调节了温度的冲洗液向基板供给；以及处理液供给部，在由冲洗液供给部供给冲洗液后，向基板的一面供给由反转膜的材料构成的处理液。

在该情况下，通过冲洗液将基板的温度调节在恒定范围内。通过在在该状态下向基板供给处理液，能够防止在基板上处理液的温度产生偏差。由此，能够形成具有均匀的厚度的反转膜。因此，能够在基板上合适地形成所期望的反转图案。

(3)冲洗液供给部也可以包括向基板的一面喷出冲洗液的第一冲洗喷嘴。

在该情况下，通过从第一冲洗喷嘴喷出的冲洗液，能够从基板的一面冲洗显影残渣，并且能够将基板的温度调节在恒定范围内。

(4)基板处理装置还可以包括保持基板并使该基板旋转的旋转保持部；