[发明专利]三维半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 201780052553.3 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN109643725B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·史密斯;安东·J·德维利耶;尼哈尔·莫汉蒂;苏巴迪普·卡尔;坎达巴拉·塔皮利 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/161 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜;李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，所述半导体器件包括衬底以及形成在所述衬底上的场效应晶体管的栅极区。所述栅极区包括具有纵向轴线的垂直堆叠的纳米线，所述纵向轴线平行于所述衬底的工作表面延伸。垂直堆叠的纳米线的给定堆叠包括垂直对准的至少两根纳米线，其中p型纳米线和n型纳米线在空间上垂直地彼此分离。所述半导体器件还包括形成在栅极区内的台阶状连接结构，所述栅极区将每根纳米线电连接到所述栅极区上方的位置。第一栅电极具有台阶状廓线并且连接到第一级纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；场效应晶体管的栅极区，所述栅极区形成在所述衬底上，所述栅极区包括具有纵向轴线的垂直堆叠的纳米线，所述纵向轴线平行于所述衬底的工作表面延伸，垂直堆叠的纳米线的给定堆叠包括垂直对准的至少两根纳米线，其中p型纳米线和n型纳米线在空间上垂直地彼此分离；以及台阶状连接结构，所述台阶状连接结构形成在所述栅极区内，所述栅极区将每根纳米线电连接到所述栅极区上方的位置，其中第一栅电极具有台阶状廓线并且连接到第一级纳米线。
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