[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201780050421.7 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN109564942B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 中尾之泰;海老原洪平;日野史郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 目的在于提供一种能够抑制栅极绝缘膜的破坏的技术。半导体装置具备：多个半导体开关元件，是MOSFET，且内置肖特基势垒二极管；第1欧姆电极，配设于阱区域中的与规定区域相反的一侧的第1区域上方，与该第1区域电连接；第1肖特基电极，配设于在阱区域的第1区域中露出的半导体层上；以及布线，与第1欧姆电极及第1肖特基电极电连接，并且与源电极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：第1导电类型的半导体层；多个半导体开关元件，配设于所述半导体层中的预先规定的规定区域，该半导体开关元件是具有配设于该规定区域上方的源电极及栅电极的MOSFET即金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管，该半导体开关元件内置有肖特基势垒二极管；第2导电类型的阱区域，在所述半导体层的表层中在俯视时与所述规定区域分离地配设；栅极布线，配设于所述阱区域上方，与所述栅电极电连接；第1欧姆电极，配设于所述阱区域中的与所述规定区域相反的一侧的第1区域上方，与该第1区域电连接；第1肖特基电极，配设于在所述阱区域的所述第1区域中露出的所述半导体层上；以及布线，与所述第1欧姆电极及所述第1肖特基电极电连接，并且与所述源电极电连接。
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