[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1导电类型的半导体层；

多个半导体开关元件，配设于所述半导体层中的预先规定的规定区域，该半导体开关元件是具有配设于该规定区域上方的源电极及栅电极的MOSFET即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，该半导体开关元件内置有肖特基势垒二极管；

第2导电类型的阱区域，在所述半导体层的表层中在俯视时与所述规定区域分离地配设；

栅极布线，配设于所述阱区域上方，与所述栅电极电连接；

第1欧姆电极，配设于所述阱区域中的与所述规定区域相反的一侧的第1区域上方，与该第1区域电连接；

第1肖特基电极，配设于在所述阱区域的所述第1区域中露出的所述半导体层上；以及

布线，与所述第1欧姆电极及所述第1肖特基电极电连接，并且与所述源电极电连接，

所述第1欧姆电极以及所述第1肖特基电极在俯视时沿着所述栅极布线交替配设。

2.一种半导体装置，具备：

第1导电类型的半导体层；

多个半导体开关元件，配设于所述半导体层中的预先规定的规定区域，该半导体开关元件是具有配设于该规定区域上方的源电极及栅电极的MOSFET即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，该半导体开关元件内置有肖特基势垒二极管；

第2导电类型的阱区域，在所述半导体层的表层中在俯视时与所述规定区域分离地配设；

栅极布线，配设于所述阱区域上方，与所述栅电极电连接；

第1欧姆电极，配设于所述阱区域中的与所述规定区域相反的一侧的第1区域上方，与该第1区域电连接；

第1肖特基电极，配设于在所述阱区域的所述第1区域中露出的所述半导体层上；以及

布线，与所述第1欧姆电极及所述第1肖特基电极电连接，并且与所述源电极电连接，

所述第1欧姆电极以在俯视时包围所述第1肖特基电极的方式配设。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述布线中的连接所述第1欧姆电极以及所述第1肖特基电极和所述源电极的连接部分被配设于相对所述规定区域和与所述栅极布线连接的栅极焊盘相反的一侧。

4.一种半导体装置，具备：

第1导电类型的半导体层；

多个半导体开关元件，配设于所述半导体层中的预先规定的规定区域，该半导体开关元件是具有配设于该规定区域上方的源电极及栅电极的MOSFET即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，该半导体开关元件内置有肖特基势垒二极管；

第2导电类型的阱区域，在所述半导体层的表层中在俯视时与所述规定区域分离地配设；

栅极布线，配设于所述阱区域上方，与所述栅电极电连接；

第1欧姆电极，配设于所述阱区域中的与所述规定区域相反的一侧的第1区域上方，与该第1区域电连接；

第1肖特基电极，配设于在所述阱区域的所述第1区域中露出的所述半导体层上；以及

布线，与所述第1欧姆电极及所述第1肖特基电极电连接，并且与所述源电极电连接，

所述布线中的连接所述第1欧姆电极以及所述第1肖特基电极和所述源电极的连接部分被配设于相对所述规定区域和与所述栅极布线连接的栅极焊盘相反的一侧。

5.根据权利要求1、2、4中的任意一项所述的半导体装置，其中，

还具备第2肖特基电极，该第2肖特基电极配设于在所述阱区域中的所述规定区域侧的第2区域中露出的所述半导体层上，与所述源电极电连接。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

还具备第2肖特基电极，该第2肖特基电极配设于在所述阱区域中的所述规定区域侧的第2区域中露出的所述半导体层上，与所述源电极电连接。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

还具备第2欧姆电极，该第2欧姆电极配设于所述阱区域的所述第2区域上方，与该第2区域电连接，并且与所述源电极电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述第2肖特基电极比所述第2欧姆电极更靠所述栅极布线侧配设。