[发明专利]利用背面硅化形成双面接触电容器在审
| 申请号： | 201780049975.5 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN109690788A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | S·格科特佩里;P·V·科勒夫;M·A·斯图贝;R·哈蒙德;古仕群;S·费恩利 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L27/12;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;崔卿虎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种集成电路结构可以包括电容器，该电容器具有作为第一板的半导体层和作为第二板的栅极层。电容器电介质层可以分离第一板和第二板。背面金属化部可以耦合到电容器的第一板。正面金属化部可以耦合到电容器的第二板。正面金属化部可以布置在距背面金属化部的远端。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 第一板 背面金属化 金属化部 耦合到 电容器电介质 集成电路结构 半导体层 双面接触 栅极层 硅化 远端 背面 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：电容器，包括作为第一板的半导体层和作为第二板的栅极层，所述半导体层和所述栅极层由电容器电介质层分离；背面金属化部，耦合到所述电容器的所述第一板；以及正面金属化部，耦合到所述电容器的所述第二板，其中所述正面金属化部布置在距所述背面金属化部的远端。
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