[发明专利]利用背面硅化形成双面接触电容器

说明书

一种集成电路结构可以包括电容器，该电容器具有作为第一板的半导体层和作为第二板的栅极层。电容器电介质层可以分离第一板和第二板。背面金属化部可以耦合到电容器的第一板。正面金属化部可以耦合到电容器的第二板。正面金属化部可以布置在距背面金属化部的远端。

技术领域

本公开一般地涉及集成电路(IC)。更具体地，本公开涉及用于形成双面接触电容器的背面硅化的方法和装置。

背景技术

由于成本和功耗考虑，包括高性能双工器的移动射频(RF)芯片设计(例如，移动RF收发器)已经迁移到深亚微米工艺节点。这种移动RF收发器的设计在这个深亚微米工艺节点处变得复杂。这些移动RF收发器的设计复杂性通过增加用于支持诸如载波聚合等通信增强的电路功能而进一步复杂化。移动RF收发器的进一步设计挑战包括模拟/RF性能考虑因素，包括失配、噪声和其他性能因素。这些移动RF收发器的设计包括使用附加的无源器件例如以抑制谐振以及/或者执行滤波、旁路和耦合。

玻璃上无源器件涉及高性能电感器和电容器部件，这些部件具有优于诸如通常用于制造移动射频(RF)芯片设计的表面安装技术或多层陶瓷芯片等其他技术的各种优点。由于成本和功耗考虑，通过迁移到深亚微米工艺节点而使得移动RF收发器的设计复杂性变得复杂。间距考虑因素也会影响移动RF收发器设计的深亚微米工艺节点，诸如大电容器，这可能会在RF芯片设计的设计集成过程中造成性能瓶颈。例如，金属氧化物半导体(MOS)电容器可以用于RF应用中以提供增加的电容密度。不幸的是，在先进互补MOS(CMOS)工艺中使用的MOS电容器可能占据大面积以实现指定的电容密度。

发明内容

一种集成电路结构可以包括电容器，该电容器具有作为第一板的半导体层和作为第二板的栅极层。电容器电介质层可以分离第一板和第二板。背面金属化部可以耦合到电容器的第一板，并且正面金属化部可以耦合到电容器的第二板。正面金属化部可以远离背面金属化部而被布置。

一种构造集成电路结构的方法可以包括制造由隔离层支撑并且设置在牺牲衬底上的器件。该方法可以进一步包括在器件的栅极层上沉积正面接触层。正面电介质层中的正面金属化部可以被制造在器件上并且耦合到正面接触层。处理衬底可以接合到器件上的正面电介质层。该方法可以进一步包括去除牺牲衬底。背面接触层可以沉积在器件的半导体层上。背面金属化部可以被制造在支撑隔离层的背面电介质层中。背面金属化部可以耦合到背面接触层并且可以远离正面金属化部而被布置。

一种集成电路结构可以包括用于存储电荷的装置。用于存储电荷的装置可以由隔离层和背面电介质层支撑。背面金属化部可以布置在背面电介质层中，并且可以耦合到电荷存储装置。正面金属化部可以布置在电荷存储装置上的正面电介质层中。正面金属化部可以耦合到电荷存储装置。正面金属化部可以远离背面金属化部而被布置。

一种射频(RF)前端模块可以包括集成射频(RF)电路结构，RF电路结构具有包括作为第一板的半导体层和作为第二板的栅极层的电容器。半导体层和栅极层可以由电容器电介质层分离。背面金属化部可以耦合到电容器的第一板，并且正面金属化部可以耦合到电容器的第二板。正面金属化部可以远离背面金属化部而被布置。开关晶体管可以耦合到电容器。天线可以耦合到开关晶体管的输出。

这已经相当广泛地概述了本公开的特征和技术优点，以便可以更好地理解随后的详细描述。下面将描述本公开的附加特征和优点。本领域技术人员应当理解，本公开可以容易地用作修改或设计用于实现本公开的相同目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应当认识到，这种等效构造不脱离所附权利要求中阐述的本公开的教导。当结合附图考虑时，从以下描述将更好地理解被认为是关于其组织和操作方法的本公开的特征的新颖特征以及其他目的和优点。然而，应当清楚地理解，提供每个附图仅用于说明和描述的目的，并且不旨在作为本公开的范围的定义。

附图说明

为了更完整地理解本公开，现在参考结合附图给出的以下描述。