[发明专利]利用背面硅化形成双面接触电容器

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

电容器，包括作为第一板的半导体层和作为第二板的栅极层，所述半导体层和所述栅极层由电容器电介质层分离；

背面金属化部，耦合到所述电容器的所述第一板；以及

正面金属化部，耦合到所述电容器的所述第二板，其中所述正面金属化部布置在距所述背面金属化部的远端。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述背面金属化部包括布置在背面电介质层中的层转移后金属化层。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述正面金属化部位于正面电介质层内并且靠近所述电容器的所述栅极层。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，进一步包括背面硅化物层，所述背面金属化部通过所述背面硅化物层耦合到所述电容器的所述第一板。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，进一步包括正面硅化物层，所述正面金属化部通过所述正面硅化物层耦合到所述电容器的所述第二板。

6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述电容器电介质层包括高K电介质，并且所述半导体层包括绝缘体上硅(SOI)层。

7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述正面金属化部和所述背面金属化部彼此正对地布置。

8.根据权利要求1所述的集成电路结构，被集成到RF前端模块中，所述RF前端模块被包含到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、移动电话和便携式计算机中的至少一个中。

9.一种构造集成电路结构的方法，包括：

制造由隔离层支撑并且设置在牺牲衬底上的器件；

在所述器件的栅极层上沉积正面接触层；

制造在所述器件上的正面电介质层中并且耦合到所述正面接触层的正面金属化部；

将处理衬底接合到所述器件上的所述正面电介质层；

去除所述牺牲衬底；

在所述器件的半导体层上沉积背面接触层；以及

在支撑所述隔离层的背面电介质层中制造背面金属化部，所述背面金属化部耦合到所述背面接触层并且布置在距所述正面金属化部的远端。

10.根据权利要求9所述的方法，其中制造所述背面金属化部包括：

根据所述器件的所述半导体层来图案化所述隔离层，以暴露所述背面接触层的预定部分；

在图案化的所述隔离层内并且在所述背面接触层的暴露的所述预定部分上沉积背面金属化材料，以形成所述背面金属化部；以及

在所述隔离层和所述背面金属化部上沉积所述背面电介质层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中沉积所述背面金属化材料包括：

在所述背面接触层的暴露的所述预定部分上沉积第一背面金属化材料，以形成多个背面金属化插塞；以及

在所述多个背面金属化插塞上沉积第二背面金属化材料。

12.根据权利要求9所述的方法，其中制造所述正面金属化部包括：

根据所述器件的所述栅极层来图案化所述正面电介质层，以暴露所述背面接触层的预定部分；

在图案化的所述正面电介质层内并且在所述背面接触层的暴露的所述预定部分上沉积第一背面金属化材料，以形成多个正面金属化插塞；以及

在所述多个正面金属化插塞上沉积第二正面金属化材料，以形成所述背面金属化部。

13.根据权利要求9所述的方法，其中接合所述处理衬底进一步包括：

在所述正面电介质层上沉积富陷阱层；以及

将所述处理衬底接合到所述富陷阱层。