[发明专利]用于使用较低电压阈值进行耐久性友好编程的设备和方法有效

专利信息
申请号: 201780049298.7 申请日: 2017-07-11
公开(公告)号: CN109891506B 公开(公告)日: 2023-07-21
发明(设计)人: 吴微;Y.邹;J.B.卡恩;郭炘 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/34;G11C16/26
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 姜冰;张金金
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种用于使用较低电压阈值进行耐久性友好编程的方法和设备。非易失性存储器具有被组织为使用第一数量的阈值电压电平编程的页的存储单元。存储单元被组织成写入数据的存储单元组。每个存储单元组被编程为存储第一数量的信息比特。存储器控制器从页中选择第二数量的信息比特,信息比特的第二数量小于信息比特的第一数量。存储器控制器使用来自第二数量的阈值电压电平的阈值电压电平对存储单元组的存储单元进行编程,其中阈值电压电平的第二数量小于阈值电压电平的第一数量,并且包括第一数量的阈值电压电平中的最低阈值电压电平。
搜索关键词: 用于 使用 电压 阈值 进行 耐久性 友好 编程 设备 方法
【主权项】:
1.一种用于对存储器装置的存储单元中的信息进行编程的设备,包括:非易失性存储器,具有组织为页的存储单元,其中每个多级单元包括多个比特,并且能使用第一数量的阈值电压电平被编程具有信息,其中所述存储单元被组织成写入数据的存储单元组,其中每个存储单元组被编程为存储第一数量的信息比特;以及存储器控制器,被配置为对所述存储单元进行编程,并且配置为:从页中选择第二数量的信息比特以写入所述存储单元组之一,其中信息比特的所述第二数量小于信息比特的所述第一数量;以及使用来自第二数量的阈值电压电平的阈值电压电平对所述存储单元组的所述存储单元进行编程,其中阈值电压电平的所述第二数量小于阈值电压电平的所述第一数量,并且包括所述第一数量的阈值电压电平中的最低阈值电压电平。
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