[发明专利]用于使用较低电压阈值进行耐久性友好编程的设备和方法有效
申请号: | 201780049298.7 | 申请日: | 2017-07-11 |
公开(公告)号: | CN109891506B | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 吴微;Y.邹;J.B.卡恩;郭炘 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/34;G11C16/26 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 姜冰;张金金 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 使用 电压 阈值 进行 耐久性 友好 编程 设备 方法 | ||
1.一种用于对非易失性存储器进行编程的设备,所述非易失性存储器具有组织为页的存储单元,其中每个多级单元包括多个比特,并且能使用第一数量的阈值电压电平被编程具有信息,包括:
存储器控制器,被配置为对所述存储单元进行编程,其中所述存储单元被组织成写入数据的存储单元组,其中每个存储单元组被编程为存储第一数量的信息比特,并且配置为:
从页中选择第二数量的信息比特以写入所述存储单元组之一,其中信息比特的所述第二数量小于信息比特的所述第一数量;以及
使用来自第二数量的阈值电压电平的阈值电压电平对所述存储单元组的所述存储单元进行编程,其中阈值电压电平的所述第二数量小于阈值电压电平的所述第一数量,并且包括所述第一数量的阈值电压电平中的最低阈值电压电平。
2.如权利要求1所述的设备,其中为了对所述存储单元进行编程,将所述第二数量的信息比特转变为所述第一数量的信息比特以使用来自所述第二数量的阈值电压电平的所述阈值电压电平进行编程。
3.如权利要求1所述的设备,其中每个多级单元包括n个比特,并且能利用2n个不同阈值电压电平被编程为2n个独立状态,其中所述第一数量的阈值电压电平包括2n,其中每一个所述存储单元组具有p个存储单元,其中每个存储单元组表示2np个信息状态,其中所述第一数量的信息比特包括m个信息比特,其中m=Log2(2np)个信息比特,并且其中所选择的第二数量的比特包括k个比特,其中km,并且其中所述第二数量的阈值电压电平包括j个阈值电压电平,仅包括所述2n个不同阈值电压电平中的j个最低阈值电压电平,其中j2n,并且j是大于或等于2k/p的最小整数。
4.如权利要求1所述的设备,其中所述存储器控制器进一步:
指示用于从中选择要存储的比特的页的压缩类型的多个编程模式之一,其中所述编程模式中的至少一个基于将所述第二数量的信息比特的状态与使用所述第二数量的阈值电压电平编程的所述第一数量的信息比特的状态子集关联的真值表与转变函数关联;
从所述存储单元组之一中读取所述第一数量的信息比特;以及
使用与用于所述存储单元组中的所述数据的所述编程模式关联的所述转变函数将在所述存储单元组之一中读取的第一数量的信息比特转变成转变的第二数量的信息比特。
5.如权利要求4所述的设备,其中所述存储器控制器进一步:
配置用于存储信息比特的页,其中每一个配置的页被指示为具有所述压缩类型之一,其中所述压缩类型包括低压缩类型、中压缩类型和高压缩类型,其中被指示为具有所述高压缩类型的所述页比具有所述低压缩类型和所述中压缩类型的页具有更少的比特;
确定用于从所述页选择的第二数量的信息比特的编程模式,其中所述编程模式基于从中选择所述第二数量的信息比特的所述页的所述压缩类型;以及
使用与所确定的编程模式关联的所述转变函数来从所述第二数量的阈值电压中确定所述阈值电压电平,以用于对用于所选择的第二数量的信息比特的所述存储单元组中的所述第一数量的信息比特进行编程。
6.如权利要求4所述的设备,其中每一个所述存储单元组包括两个存储单元的存储单元对,其中每一个所述存储单元存储两个信息比特,其中所述第一数量的信息比特包括四个比特,其中所述第二数量的信息比特从两个页中选择,
其中在第一编程模式中,所述第二数量的信息比特包括三个比特,并且其中用于所述第一编程模式的所述转变函数将从所述存储单元读取的四个比特转变成三个比特,并且其中在第二编程模式中,所述第二数量的信息比特包括两个比特,并且其中用于所述第二编程模式的所述转变函数将读取的四个比特转变成两个比特。
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