[发明专利]半导体装置、半导体模块、以及半导体封装装置有效
| 申请号： | 201780047044.1 | 申请日： | 2017-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109564941B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 安田英司;今井俊和;大河亮介;今村武司;坂本光章;吉田一磨;平子正明;升元康之;曾田茂稔;太田朋成 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/8234;H01L23/12;H01L23/522;H01L25/07;H01L25/18;H01L27/088 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 安香子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有：半导体基板(32)，包括第一导电型的杂质；低浓度杂质层(33)，包括比半导体基板(32)的第一导电型的杂质的浓度低的浓度的第一导电型的杂质；背面电极(31)，由金属材料构成；以及晶体管(10，20)，被形成在低浓度杂质层(33)内，晶体管(10)在低浓度杂质层(33)的正面具有第一源极电极(11)以及第一栅极电极(19)，晶体管(20)在低浓度杂质层(33)的正面具有第二源极电极(21)以及第二栅极电极(29)，半导体基板(32)，作为晶体管(10，20)的共同漏极区域发挥功能，背面电极(31)的厚度a为25μm以上35μm以下，背面电极(31)的厚度a相对于包括半导体基板(32)和低浓度杂质层(33)的半导体的层厚b的比例a/b为0.32以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 模块 以及 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有：半导体基板，由硅构成且包括第一导电型的杂质；低浓度杂质层，被形成在所述半导体基板上，并且与所述半导体基板接触，包括比所述半导体基板的所述第一导电型的杂质的浓度低的浓度的所述第一导电型的杂质；背面电极，由被形成在所述半导体基板的背面上的金属材料构成，所述金属材料与所述半导体基板的背面接触；第一纵型MOS晶体管，被形成在所述低浓度杂质层内的第一区域；以及第二纵型MOS晶体管，被形成在所述低浓度杂质层内的与所述第一区域邻接的第二区域，所述第一纵型MOS晶体管，在所述低浓度杂质层的正面具有第一源极电极以及第一栅极电极，所述第二纵型MOS晶体管，在所述低浓度杂质层的正面具有第二源极电极以及第二栅极电极，所述半导体基板，作为所述第一纵型MOS晶体管的第一漏极区域以及所述第二纵型MOS晶体管的第二漏极区域的共同漏极区域发挥功能，所述背面电极的厚度为25μm以上35μm以下，所述背面电极的厚度相对于包括所述半导体基板和所述低浓度杂质层的半导体层的比例为0.32以上。
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