[发明专利]半导体装置、半导体模块、以及半导体封装装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

半导体基板，由硅构成且包括第一导电型的杂质；

低浓度杂质层，被形成在所述半导体基板上，并且与所述半导体基板接触，包括比所述半导体基板的所述第一导电型的杂质的浓度低的浓度的所述第一导电型的杂质；

背面电极，被形成在所述半导体基板的背面上，并且与所述半导体基板的背面接触，由金属材料构成；

第一纵型MOS晶体管，被形成在所述低浓度杂质层内的第一区域；以及

第二纵型MOS晶体管，被形成在所述低浓度杂质层内的与所述第一区域邻接的第二区域，

所述第一纵型MOS晶体管，在所述低浓度杂质层的正面具有第一源极电极以及第一栅极电极，

所述第二纵型MOS晶体管，在所述低浓度杂质层的正面具有第二源极电极以及第二栅极电极，

所述半导体基板，作为所述第一纵型MOS晶体管的第一漏极区域以及所述第二纵型MOS晶体管的第二漏极区域的共同漏极区域发挥功能，

所述背面电极的厚度为25μm以上35μm以下，

所述半导体基板以在平面视中向所述背面电极侧凸起的方式弯曲，

所述背面电极的厚度相对于包括所述半导体基板和所述低浓度杂质层的半导体层的比例为0.32以上0.56以下。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

所述低浓度杂质层的厚度为2.75μm以上。

3.如权利要求1所述的半导体装置，

在所述低浓度杂质层的厚度为2.18μm以下、且所述半导体基板的平面视的对角尺寸为3.63mm以上的情况下，

所述比例为0.33以上。

4.如权利要求3所述的半导体装置，

在所述低浓度杂质层的厚度为2.18μm以下且所述对角尺寸为3.55mm以上3.63mm以下、或者所述低浓度杂质层的厚度为2.18μm以上2.24μm以下且所述对角尺寸为3.63mm以上的情况下，

所述比例为0.43以上。

5.如权利要求1所述的半导体装置，

在所述低浓度杂质层的厚度为2.75μm以下且所述半导体基板的平面视的对角尺寸为3.84mm以上3.92mm以下、或者所述低浓度杂质层的厚度为2.75μm以上2.81μm以下且所述对角尺寸为3.92mm以上的情况下，

所述比例为0.33以上。

6.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第一源极电极相对于所述背面电极的厚度的比例为0.28以下，

所述第二源极电极相对于所述背面电极的厚度的比例为0.28以下。

7.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第一纵型MOS晶体管，在所述低浓度杂质层的正面具有多个所述第一源极电极，

所述第二纵型MOS晶体管，在所述低浓度杂质层的正面具有多个所述第二源极电极，

所述多个第一源极电极之中的被称作第三源极电极的一个、以及所述多个第二源极电极之中的被称作第四源极电极的一个，分别是相对于所述第一区域与所述第二区域的边界最近的源极电极，并且被配置为沿着所述边界的全区域。

8.如权利要求7所述的半导体装置，

所述第三源极电极与所述第四源极电极的间隔，比所述第三源极电极的宽度以及所述第四源极电极的宽度都窄。

9.如权利要求7所述的半导体装置，

所述第三源极电极与所述第四源极电极的间隔，比所述第三源极电极的宽度以及所述第四源极电极的宽度都宽。