[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201780042409.1 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN109417098B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 野口宗隆;岩松俊明 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置，具备：第1半导体层，配设于半导体基板的第1主面之上；第1半导体区域，在半导体层的上层部选择性地设置有多个；第2半导体区域，选择性地设置于第1半导体区域的上层部；第2半导体层，配置于第1半导体层的与第1半导体区域之间对应的JFET区域之上，覆盖JFET区域中的至少一部分；第3半导体层，设置于所述第2半导体层之上；栅极绝缘膜，覆盖第1半导体区域之上、第3半导体层之上；栅极电极，设置于栅极绝缘膜之上；层间绝缘膜，覆盖栅极电极、栅极绝缘膜；接触孔，贯通栅极绝缘膜以及层间绝缘膜，至少第2半导体区域在该接触孔的底部露出；第1主电极，设置于层间绝缘膜之上，经由接触孔而与第2半导体区域电连接；及第2主电极，配设于半导体基板的第2主面之上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：半导体基板；第1导电类型的第1半导体层，配设于所述半导体基板的第1主面之上；第2导电类型的第1半导体区域，在所述第1半导体层的上层部选择性地设置有多个；第1导电类型的第2半导体区域，选择性地设置于所述第1半导体区域的上层部；第2半导体层，配置于所述第1半导体层的与所述第1半导体区域之间对应的JFET区域之上，覆盖所述JFET区域中的至少一部分；栅极绝缘膜，被设置成覆盖所述第1半导体区域之上以及所述第2半导体层之上；栅极电极，设置于所述栅极绝缘膜之上；层间绝缘膜，被设置成覆盖所述栅极绝缘膜以及所述栅极电极；接触孔，贯通所述栅极绝缘膜以及所述层间绝缘膜，至少所述第2半导体区域在所述接触孔的底部露出；第1主电极，设置于所述层间绝缘膜之上，经由所述接触孔而与所述第2半导体区域电连接；以及第2主电极，配设于所述半导体基板的第2主面之上，所述第1半导体层包含具有第1带隙的碳化硅半导体，所述第2半导体层包含具有比所述第1带隙窄的第2带隙的半导体。
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