[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体基板；

第1导电类型的第1半导体层，配设于所述半导体基板的第1主面之上；

第2导电类型的第1半导体区域，在所述第1半导体层的上层部选择性地设置有多个；

第1导电类型的第2半导体区域，选择性地设置于所述第1半导体区域的上层部；

第2半导体层，配置于所述第1半导体层的与所述第1半导体区域之间对应的JFET区域之上，覆盖所述JFET区域中的至少一部分；

第3半导体层，设置于所述第2半导体层之上；

栅极绝缘膜，被设置成覆盖所述第1半导体区域之上以及所述第3半导体层之上；

栅极电极，设置于所述栅极绝缘膜之上；

层间绝缘膜，被设置成覆盖所述栅极绝缘膜以及所述栅极电极；

接触孔，贯通所述栅极绝缘膜以及所述层间绝缘膜，至少所述第2半导体区域在所述接触孔的底部露出；

第1主电极，设置于所述层间绝缘膜之上，经由所述接触孔而与所述第2半导体区域电连接；以及

第2主电极，配设于所述半导体基板的第2主面之上，

所述第1半导体层包含具有第1带隙的碳化硅半导体，

所述第2半导体层包含具有比所述第1带隙窄的第2带隙的半导体，

所述第3半导体层包含具有比所述第2带隙窄的第3带隙的半导体。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具有杂质区域，该杂质区域设置于所述第1半导体区域的上层部。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述第2半导体层被设置成覆盖所述JFET区域的整体。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述第2半导体层被设置成覆盖所述JFET区域的一部分。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1半导体层以及所述第2半导体层包含多型不同的碳化硅半导体。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述第1半导体层包含4H－SiC。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第2半导体层包含3C－SiC或者6H－SiC。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第2半导体层包含所添加的锗、硅、锡以及碳中的任意元素。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第2半导体层的厚度为200nm以下。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体基板包含具有所述第1带隙的第1导电类型的碳化硅半导体。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体基板包含具有所述第1带隙的第2导电类型的碳化硅半导体。