[发明专利]半导体膜及其制造方法、光电转换元件、固态成像元件和电子装置有效
申请号: | 201780040600.2 | 申请日: | 2017-06-06 |
公开(公告)号: | CN109417079B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 泷泽修一;塩见治典 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;B82Y40/00;H01L31/10;H04N25/70;H04N25/79 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 王新春;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明提供了一种能够实现光电转换效率进一步提高的半导体膜。所述半导体膜包含半导体纳米粒子和由通式(1)表示的化合物,其中由所述通式(1)表示的化合物与所述半导体纳米粒子配位。(在所述通式(1)中,X表示‑SH、‑COOH、‑NH |
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搜索关键词: | 半导体 及其 制造 方法 光电 转换 元件 固态 成像 电子 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体膜,包含:半导体纳米粒子和由以下通式(1)表示的化合物:[化学式1]
(在所述通式(1)中,X表示‑SH、‑COOH、‑NH2、‑PO(OH)2或‑SO2(OH),A1表示‑S、‑COO、‑PO(OH)O或‑SO2(O),并且n是1~3的整数。B1表示Li、Na或K),其中由所述通式(1)表示的化合物与所述半导体纳米粒子配位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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