[发明专利]半导体膜及其制造方法、光电转换元件、固态成像元件和电子装置有效

专利信息
申请号: 201780040600.2 申请日: 2017-06-06
公开(公告)号: CN109417079B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 泷泽修一;塩见治典 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;B82Y40/00;H01L31/10;H04N25/70;H04N25/79
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 王新春;曹正建
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供了一种能够实现光电转换效率进一步提高的半导体膜。所述半导体膜包含半导体纳米粒子和由通式(1)表示的化合物,其中由所述通式(1)表示的化合物与所述半导体纳米粒子配位。(在所述通式(1)中,X表示‑SH、‑COOH、‑NH2、‑PO(OH)2或‑SO2(OH);A1表示‑S、‑COO、‑PO(OH)O或‑SO2(O);n是1~3的整数;并且B1表示Li、Na或K。)
搜索关键词: 半导体 及其 制造 方法 光电 转换 元件 固态 成像 电子 装置
【主权项】:
1.一种半导体膜,包含:半导体纳米粒子和由以下通式(1)表示的化合物:[化学式1](在所述通式(1)中,X表示‑SH、‑COOH、‑NH2、‑PO(OH)2或‑SO2(OH),A1表示‑S、‑COO、‑PO(OH)O或‑SO2(O),并且n是1~3的整数。B1表示Li、Na或K),其中由所述通式(1)表示的化合物与所述半导体纳米粒子配位。
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