[发明专利]半导体膜及其制造方法、光电转换元件、固态成像元件和电子装置有效

专利信息
申请号: 201780040600.2 申请日: 2017-06-06
公开(公告)号: CN109417079B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 泷泽修一;塩见治典 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;B82Y40/00;H01L31/10;H04N25/70;H04N25/79
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 王新春;曹正建
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 及其 制造 方法 光电 转换 元件 固态 成像 电子 装置
【说明书】:

本发明提供了一种能够实现光电转换效率进一步提高的半导体膜。所述半导体膜包含半导体纳米粒子和由通式(1)表示的化合物,其中由所述通式(1)表示的化合物与所述半导体纳米粒子配位。(在所述通式(1)中,X表示‑SH、‑COOH、‑NHsubgt;2/subgt;、‑PO(OH)subgt;2/subgt;或‑SOsubgt;2/subgt;(OH);Asupgt;1/supgt;表示‑S、‑COO、‑PO(OH)O或‑SOsubgt;2/subgt;(O);n是1~3的整数;并且Bsupgt;1/supgt;表示Li、Na或K。)

技术领域

本技术涉及半导体膜、半导体膜的制造方法、光电转换元件、固态成像元件和电子装置。

背景技术

近年来,为了实现关于数码相机等的超小型化和更高的图像质量,已经在进行其中层叠有红色、蓝色和绿色吸收层的彩色成像器件的研究和研发。

例如,已经提出了一种包括含有金属原子的半导体量子点的聚集体和与半导体量子点配位的特定配体的半导体膜以及通过使用分子链长度比特定配体长的配体来制造半导体膜的方法(参见专利文献1)。

另外,例如,还提出了通过将卤素和油胺与量子点配位并且在成膜后进行从油胺到巯基丙酸(MPA)的配体交换的方法获得的量子点(参见非专利文献1)。此外,提出了通过将已经与巯基丙酸(MPA)配位的量子点分散在二甲基亚砜(DMSO)中、接着进行浸涂法而形成的膜(参见非专利文献2),并且提出了通过使酰胺化合物与量子点配位、接着用酸分解酰胺化合物而形成的膜(参见非专利文献3)。

[引用文献列表]

[专利文献]

专利文献1:JP 2014-112623A

[非专利文献]

非专利文献1:NATURE NANOTECHNOLOGY,2012

非专利文献2:NATURE COMMUNICATIONS,2015

非专利文献3:ACS Appl.Mater.Interfaces 2015,7,21995-22000

发明内容

[技术问题]

然而,根据专利文献1和非专利文献1至3所提出的技术,可能无法实现光电转换效率的进一步提高。

鉴于上述问题,考虑到上述情况而完成了本技术。因此,本发明的主要目的是提供一种使得能够实现光电转换效率的进一步提高的半导体膜、半导体膜的制造方法、光电转换元件、固态成像元件和电子装置。

[解决问题的方案]

为了实现上述目的,本发明人进行了广泛而深入的研究,结果,本发明人惊人地成功地大幅提高了光电转换效率,由此完成了本技术。

更具体地,根据本技术,首先,提供了一种包含半导体纳米粒子和由以下通式(1)表示的化合物的半导体膜,其中由所述通式(1)表示的化合物与所述半导体纳米粒子配位。

[化学式1]

在所述通式(1)中,X表示-SH、-COOH、-NH2、-PO(OH)2或-SO2(OH),A1表示-S、-COO、-PO(OH)O或-SO2(O),并且n是1~3的整数。B1表示Li、Na或K。

另外,根据本技术,提供了一种通过用含有半导体纳米粒子和由以下通式(2)表示的化合物的分散液涂布基板而获得的半导体膜,其中由所述通式(2)表示的化合物与所述半导体纳米粒子配位。

[化学式2]

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