[发明专利]半导体膜及其制造方法、光电转换元件、固态成像元件和电子装置

权利要求书

1.一种半导体膜，包含：

半导体纳米粒子和由以下通式(1)表示的化合物：

在所述通式(1)中，X表示-COOH、-NH₂、-PO(OH)₂或-SO₂(OH)，A¹表示-S、-COO、-PO(OH)O或-SO₂(O)，并且n是1～3的整数，B¹表示Li、Na或K，

其中由所述通式(1)表示的化合物与所述半导体纳米粒子配位。

2.根据权利要求1所述的半导体膜，

其中所述半导体纳米粒子选择性地吸收至少可见区域中的光。

3.根据权利要求1所述的半导体膜，

其中所述半导体纳米粒子选择性地吸收至少红外区域中的光。

4.一种通过用含有半导体纳米粒子和由以下通式(2)表示的化合物的分散液涂布基板而获得的半导体膜：

在所述通式(2)中，X表示-COOH、-NH₂、-PO(OH)₂或-SO₂(OH)，A¹表示-S、-COO、-PO(OH)O或-SO₂(O)，并且n是1～3的整数，B²表示咪唑鎓化合物、吡啶鎓化合物、磷化合物、铵化合物或锍化合物，

其中由所述通式(2)表示的化合物与所述半导体纳米粒子配位。

5.根据权利要求4所述的半导体膜，

其中所述半导体纳米粒子选择性地吸收至少可见区域中的光。

6.根据权利要求4所述的半导体膜，

其中所述半导体纳米粒子选择性地吸收至少红外区域中的光。

7.一种半导体膜的制造方法，所述方法包括：

用含有半导体纳米粒子和由以下通式(2)表示的化合物的分散液涂布基板：

在所述通式(2)中，X表示-COOH、-NH₂、-PO(OH)₂或-SO₂(OH)，A¹表示-S、-COO、-PO(OH)O或-SO₂(O)，并且n是1～3的整数，B²表示咪唑鎓化合物、吡啶鎓化合物、磷化合物、铵化合物或锍化合物，

其中由所述通式(2)表示的化合物与所述半导体纳米粒子配位。

8.根据权利要求7所述的半导体膜的制造方法，

其中所述半导体纳米粒子选择性地吸收至少可见区域中的光。

9.根据权利要求7所述的半导体膜的制造方法，

其中所述半导体纳米粒子选择性地吸收至少红外区域中的光。

10.一种光电转换元件，包括：

根据权利要求1所述的半导体膜，以及设置成彼此面对的第一电极和第二电极，

其中所述半导体膜设置在所述第一电极和所述第二电极之间。

11.一种光电转换元件，包括：

根据权利要求4所述的半导体膜，以及设置成彼此面对的第一电极和第二电极，

其中所述半导体膜设置在所述第一电极和所述第二电极之间。

12.一种固态成像元件，其中针对以一维方式或二维方式排列的多个像素中的每一个像素至少层叠有根据权利要求10所述的光电转换元件和半导体基板。

13.一种固态成像元件，其中针对以一维方式或二维方式排列的多个像素中的每一个像素至少层叠有根据权利要求11所述的光电转换元件和半导体基板。