[发明专利]半导体元件搭载用封装体基板的制造方法和半导体元件安装基板的制造方法在审

专利信息
申请号: 201780040347.0 申请日: 2017-06-23
公开(公告)号: CN109417055A 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 平野俊介;加藤祯启;小柏尊明;川下和晃;中岛洋一 申请(专利权)人: 三菱瓦斯化学株式会社
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H05K3/46
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体元件搭载用封装体基板的制造方法,其包括如下工序:基板形成工序(a),形成依次含有第1绝缘树脂层、至少包含硅化合物的脱模层和厚度为1μm~5μm的极薄铜箔的电路形成用支撑基板;第1布线导体形成工序(b),在电路形成用支撑基板的极薄铜箔上通过图形电镀铜形成第1布线导体;层叠工序(c),以与第1布线导体接触的方式配置第2绝缘树脂层,将第2绝缘树脂层进行加热加压并层叠;第2布线导体形成工序(d),在第2绝缘树脂层中形成到达第1布线导体的非贯通孔,使非贯通孔的内壁通过电镀铜和/或化学镀铜连接,形成第2布线导体;剥离工序(e),从形成有第1布线导体和第2布线导体的电路形成用支撑基板剥离第1绝缘树脂层;和去除工序(f),将脱模层和/或前述极薄铜箔去除。
搜索关键词: 布线导体 绝缘树脂层 电路形成 极薄铜箔 支撑基板 半导体元件 封装体基板 非贯通孔 形成工序 脱模层 去除 半导体元件安装 基板形成工序 制造 图形电镀铜 剥离工序 层叠工序 方式配置 硅化合物 化学镀铜 加热加压 电镀铜 基板 内壁 剥离
【主权项】:
1.一种半导体元件搭载用封装体基板的制造方法,其包括如下工序:基板形成工序(a),形成依次含有第1绝缘树脂层、至少包含硅化合物的脱模层和厚度为1μm~5μm的极薄铜箔的电路形成用支撑基板;第1布线导体形成工序(b),在所述电路形成用支撑基板的所述极薄铜箔上通过图形电镀铜形成第1布线导体;层叠工序(c),以与所述第1布线导体接触的方式配置第2绝缘树脂层,将所述第2绝缘树脂层进行加热加压并层叠;第2布线导体形成工序(d),在所述第2绝缘树脂层中形成到达所述第1布线导体的非贯通孔,使所述非贯通孔的内壁通过电镀铜和/或化学镀铜连接,形成第2布线导体;剥离工序(e),从形成有所述第1布线导体和所述第2布线导体的电路形成用支撑基板剥离所述第1绝缘树脂层;和,去除工序(f),将所述脱模层和/或所述极薄铜箔去除。
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