[发明专利]半导体元件搭载用封装体基板的制造方法和半导体元件安装基板的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件搭载用封装体基板的制造方法，其包括如下工序：

基板形成工序(a)，形成依次含有第1绝缘树脂层、至少包含硅化合物的脱模层和厚度为1μm～5μm的极薄铜箔的电路形成用支撑基板；

第1布线导体形成工序(b)，在所述电路形成用支撑基板的所述极薄铜箔上通过图形电镀铜形成第1布线导体；

层叠工序(c)，以与所述第1布线导体接触的方式配置第2绝缘树脂层，将所述第2绝缘树脂层进行加热加压并层叠；

第2布线导体形成工序(d)，在所述第2绝缘树脂层中形成到达所述第1布线导体的非贯通孔，使所述非贯通孔的内壁通过电镀铜和/或化学镀铜连接，形成第2布线导体；

剥离工序(e)，从形成有所述第1布线导体和所述第2布线导体的电路形成用支撑基板剥离所述第1绝缘树脂层；和，

去除工序(f)，将所述脱模层和/或所述极薄铜箔去除。

2.根据权利要求1所述的半导体元件搭载用封装体基板的制造方法，其中，所述第1布线导体形成工序(b)包括如下工序：

工序(b-1)，在所述极薄铜箔上层压镀覆用抗蚀剂；

工序(b-2)，通过光刻法在所述镀覆用抗蚀剂上形成布线电路图案；

工序(b-3)，在形成有所述布线电路图案的所述极薄铜箔上通过图形电镀铜形成所述第1布线导体；和，

工序(b-4)，将所述镀覆用抗蚀剂去除。

3.根据权利要求1或2所述的半导体元件搭载用封装体基板的制造方法，其中，所述层叠工序(c)包括如下工序：

工序(c-1)，对所述第1布线导体表面实施粗糙化处理；和，

工序(c-2)，将所述第2绝缘树脂层以其与实施了所述粗糙化处理的所述第1布线导体接触的方式配置，在所述第2绝缘树脂层上进一步配置金属层，并进行加热加压，将所述第2绝缘树脂层与所述金属层层叠。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体元件搭载用封装体基板的制造方法，其中，所述第2布线导体形成工序(d)包括如下工序：

工序(d-1)，在所述第2绝缘树脂层中形成到达所述第1布线导体的非贯通孔；

工序(d-2)，使所述非贯通孔的内壁通过电镀铜和/或化学镀铜连接；和，

工序(d-3)，以减成法或半加成法形成所述第2布线导体。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体元件搭载用封装体基板的制造方法，其中，所述第2布线导体形成工序(d)中，对于形成有所述第1布线导体和所述第2布线导体的电路形成用支撑基板进而重复进行所述层叠工序(c)和所述第2布线导体形成工序(d)，制造具有积层结构的半导体元件搭载用封装体基板。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体元件搭载用封装体基板的制造方法，其中，所述第1绝缘树脂层的厚度为0.02mm～2.0mm。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体元件搭载用封装体基板的制造方法，其中，所述第2布线导体形成工序(d)中，由激光形成所述非贯通孔。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体元件搭载用封装体基板的制造方法，其中，所述剥离工序(e)中，将所述第1绝缘树脂层以物理的方式剥离。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体元件搭载用封装体基板的制造方法，其中，所述去除工序(f)中，用硫酸系或过氧化氢系蚀刻液去除所述脱模层和/或所述极薄铜箔。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体元件搭载用封装体基板的制造方法，其中，所述基板形成工序(a)中，包括如下工序(a-1)：以所述脱模层与所述第1绝缘树脂层接触的方式在所述第1绝缘树脂层上配置在厚度为1μm～20μm的铜箔上形成有所述脱模层的带脱模层的铜箔，之后对所述带脱模层的铜箔的所述铜箔部分实施蚀刻处理，形成所述极薄铜箔。