[发明专利]半导体光源有效

专利信息
申请号: 201780039226.4 申请日: 2017-06-07
公开(公告)号: CN109417275B 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 克里斯托夫·艾克勒;斯文·格哈德;艾尔弗雷德·莱尔;贝恩哈德·施托耶茨 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01S5/22 分类号: H01S5/22
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 丁永凡;张春水
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种半导体光源(1),所述半导体光源包括激光器(2)和发光材料(3)。激光器(2)包括具有用于产生激光辐射(L)的有源区(22)的半导体本体(21)。在激光器(2)中构成具有谐振器镜(25)和纵轴线(24)的谐振器(23)。激光辐射(L)在运行时沿着纵轴线(24)引导和加强。有源区(22)至少部分地处于谐振器(23)中。发光材料(3)无间隙地光学耦合到谐振器(23)上,使得激光辐射(L)沿横向于纵轴线(24)的方向到达发光材料(3)中并且转换成具有更大波长的次级辐射(S)。
搜索关键词: 半导体 光源
【主权项】:
1.一种半导体光源(1),所述半导体光源具有激光器(2)和至少一种发光材料(3),其中‑所述激光器(2)包括半导体本体(21),所述半导体本体具有用于产生激光辐射(L)的至少一个有源区(22),‑在所述激光器(2)中构成具有谐振器镜(25)和纵轴线(24)的至少一个谐振器(23),使得所述激光辐射(L)在运行时沿着所述纵轴线(24)引导和加强,并且所述有源区(22)至少部分地处于所述谐振器(23)中,并且‑所述发光材料(3)无间隙地光学耦合到所述谐振器(23)上,使得所述激光辐射(L)的至少一部分沿横向于所述纵轴线(24)的方向到达所述发光材料(3)中并且转换成具有更大波长的次级辐射(S)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司,未经欧司朗光电半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780039226.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top