[发明专利]半导体光源

说明书

本发明涉及一种半导体光源(1)，所述半导体光源包括激光器(2)和发光材料(3)。激光器(2)包括具有用于产生激光辐射(L)的有源区(22)的半导体本体(21)。在激光器(2)中构成具有谐振器镜(25)和纵轴线(24)的谐振器(23)。激光辐射(L)在运行时沿着纵轴线(24)引导和加强。有源区(22)至少部分地处于谐振器(23)中。发光材料(3)无间隙地光学耦合到谐振器(23)上，使得激光辐射(L)沿横向于纵轴线(24)的方向到达发光材料(3)中并且转换成具有更大波长的次级辐射(S)。

技术领域

提出一种半导体光源。

发明内容

要实现的目的在于：提出一种半导体光源，借助所述半导体光源能够有效地产生不相干的不同颜色的光。

此外，所述目的通过一种半导体光源来实现。优选的改进方案是下面描述的主题。

根据至少一个实施方式，半导体光源包括一个或多个激光器。至少一个激光器设计用于：产生超发光辐射和/或激光辐射。优选地，在正常运行时超过的激光阈值之上产生激光辐射。所产生的激光辐射能够为单色的或基本上单色的光。

根据至少一个实施方式，半导体光源包括一种或多种发光材料或发光材料混合物。发光材料或发光材料混合物优选包括如下发光材料中的至少一种：Eu²⁺掺杂的氮化物，即例如(Ca,Sr)AlSiN₃:Eu²⁺,Sr(Ca,Sr)Si₂Al₂N₆:Eu²⁺,(Sr,Ca)AlSiN₃*Si₂N₂O:Eu²⁺,(Ca,Ba,Sr)₂Si₅N₈:Eu²⁺,(Sr,Ca)[LiAl₃N₄]:Eu²⁺；出自一般体系(Gd,Lu,Tb,Y)₃(Al,Ga,D)₅(O,X)₁₂:RE的石榴石，其中X＝卤素，N或二价元素，D＝三价或四价元素和RE＝稀土金属，如Lu₃(Al_1-xGa_x)₅O₁₂:Ce³⁺,Y₃(Al_1-xGa_x)₅O₁₂:Ce³⁺，Eu²⁺掺杂的硫化物，即例如(Ca,Sr,Ba)S:Eu²⁺；Eu²⁺掺杂的SiONe，例如(Ba,Sr,Ca)Si₂O₂N₂:Eu²⁺；例如出自体系Li_xM_yLn_zSi_12-(m+n)Al_(m+n)O_nN_16-n的塞隆；出自体系Si_6-xAl_zO_yN_8-y:RE_z的beta塞隆，其中RE＝稀土金属；次氮基正硅酸盐，例如AE_2-x-aRE_xEu_aSiO_4-xN_x或者AE_2-x-aRE_xEu_aSi_1-yO_4-x-2yN_x，其中RE＝稀土金属和AE＝碱土金属，或者例如(Ba,Sr,Ca,Mg)₂SiO₄:Eu²⁺；氯硅酸盐，例如Ca₈Mg(SiO₄)₄Cl₂:Eu²⁺；氯磷酸盐，例如(Sr,Ba,Ca,Mg)₁₀(PO₄)₆Cl₂:Eu²⁺；出自BaO-MgO-Al₂O₃体系的BAM发光材料，例如BaMgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺；卤素磷酸盐，例如M₅(PO₄)₃(Cl,F):(Eu²⁺,Sb²⁺,Mn²⁺)；SCAP发光材料，例如(Sr,Ba,Ca)₅(PO₄)₃Cl:Eu²⁺。作为发光材料也可以使用在文献EP 2 549 330A1中所提出的发光材料。关于所使用的发光材料，该文献的公开内容通过参考并入本文。此外，作为发光材料能够使用所谓的量子点。在此，呈纳米晶体材料的形式的量子点是优选的，所述纳米晶体材料包含II-VI族化合物和/或III-V族化合物和/或IV-VI族化合物和/或金属纳米晶体。