[发明专利]半导体光源

权利要求书

1.一种半导体光源(1)，所述半导体光源具有激光器(2)和至少一种发光材料(3)，其中

-所述激光器(2)包括半导体本体(21)，所述半导体本体具有用于产生激光辐射(L)的至少一个有源区(22)，

-在所述激光器(2)中构成具有谐振器镜(25)和纵轴线(24)的至少一个谐振器(23)，使得所述激光辐射(L)在运行时沿着所述纵轴线(24)引导和加强，并且所述有源区(22)至少部分地处于所述谐振器(23)中，并且

-所述发光材料(3)无间隙地光学耦合到所述谐振器(23)上，使得所述激光辐射(L)的至少一部分沿横向于所述纵轴线(24)的方向到达所述发光材料(3)中并且转换成具有更大波长的次级辐射(S)，其中横向表示以不等于0°的角度，

其中

所述半导体本体(21)沿着所述纵轴线(24)具有隆起部，使得由所述半导体本体(21)的半导体材料形成脊波导(26)，其中所述脊波导(26)：

(i)在俯视图中观察至少局部地在两个彼此相随的谐振器镜(25)之间弯曲地伸展，

和/或

(ii)至少局部地沿着所述纵轴线具有变化的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体光源(1)，

其中仅所述次级辐射(S)并且没有所述激光辐射(L)离开所述半导体光源(1)。

3.根据权利要求1所述的半导体光源(1)，

其中除了所述次级辐射(S)还有所述激光辐射(L)的一部分离开所述半导体光源(1)，使得在运行时发射混合色的光，

其中所述混合色的光的相干长度最高为10μm。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体光源(1)，

其中所述发光材料(3)在垂直于所述半导体本体(21)的生长方向(G)的方向上和在横向于所述纵轴线(24)的方向上至少部分地处于所述脊波导(26)旁边。

5.根据权利要求1所述的半导体光源(1)，

其中以所述脊波导(26)的平均宽度计，所述宽度变化最小1％和最高30％。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体光源(1)，

其中所述半导体本体(21)在至少一个主侧上设有粗化部(27)，其中所述主侧垂直于所述半导体本体(21)的生长方向取向，

其中所述发光材料(3)至少部分地处于所述半导体本体(21)的与所述粗化部(27)相同的侧上或处于所述半导体本体(21)的与所述粗化部(27)相对置的侧上。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体光源(1)，

其中所述发光材料(3)与所述半导体本体(21)直接接触并且由半导体材料形成。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体光源(1)，

其中所述发光材料(3)不接触所述半导体本体(21)，

其中所述发光材料(3)和所述半导体本体(21)之间的最小间距最高为0.5μm。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体光源(1)，

其中在所述发光材料(3)和所述半导体本体(21)之间局部地仅存在对于所述激光辐射(L)能透过的、电绝缘的钝化层(4)。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体光源(1)，

其中在所述发光材料(3)和所述半导体本体(21)之间局部地仅存在对于所述激光辐射(L)能透过的、导电的接触层(5)，所述接触层用于对所述半导体本体(21)通电。

11.根据权利要求中1至3中任一项所述的半导体光源(1)，

其中所述发光材料(3)的至少一部分嵌入到所述半导体本体(21)中，使得所述半导体本体(21)处于嵌入的所述发光材料(3)的至少三侧上。