[发明专利]真空蒸镀装置有效
申请号: | 201780039108.3 | 申请日: | 2017-07-19 |
公开(公告)号: | CN109415800B | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 北泽僚也;中村寿充;朝比奈伸一;斋藤一也 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24 |
代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人: | 齐永红 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种可尽量减少粒子的影响的所谓向下沉积方式的真空蒸镀装置。其具有配置在真空室(1)内的蒸镀源(3),蒸镀源具有容置蒸镀物质(Vm)的容置箱(31)和加热蒸镀物质使其升华或气化的加热装置(33);容置箱中设置有升华或气化了的蒸镀物质的喷出部(32),喷出部相对于真空室内的被成膜物(S)位于垂直方向上方,喷出部具有相对于垂直方向斜向下的喷出口(32b),从该喷出口向被成膜物喷出蒸镀物质,容置箱偏移设置在远离被成膜物的端部的位置上。 | ||
搜索关键词: | 真空 装置 | ||
【主权项】:
1.一种真空蒸镀装置,具有配置在真空室内的蒸镀源,蒸镀源具有容置蒸镀物质的容置箱和加热蒸镀物质使其升华或气化的加热装置;其特征在于:容置箱中设置有喷出升华或气化的蒸镀物质的蒸气的喷出部,喷出部相对于真空室内的被成膜物位于垂直方向上方;喷出部具有相对于垂直方向斜向下的喷出口,从该喷出口向被成膜物喷出蒸镀物质的蒸气,容置箱偏移设置在远离被成膜物的端部的位置上。
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