[发明专利]真空蒸镀装置有效
申请号: | 201780039108.3 | 申请日: | 2017-07-19 |
公开(公告)号: | CN109415800B | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 北泽僚也;中村寿充;朝比奈伸一;斋藤一也 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24 |
代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人: | 齐永红 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 装置 | ||
本发明提供一种可尽量减少粒子的影响的所谓向下沉积方式的真空蒸镀装置。其具有配置在真空室(1)内的蒸镀源(3),蒸镀源具有容置蒸镀物质(Vm)的容置箱(31)和加热蒸镀物质使其升华或气化的加热装置(33);容置箱中设置有升华或气化了的蒸镀物质的喷出部(32),喷出部相对于真空室内的被成膜物(S)位于垂直方向上方,喷出部具有相对于垂直方向斜向下的喷出口(32b),从该喷出口向被成膜物喷出蒸镀物质,容置箱偏移设置在远离被成膜物的端部的位置上。
技术领域
本发明涉及一种真空蒸镀装置,具体而言,涉及设置在容置箱内的升华或气化了的蒸镀物质的喷出部相对于真空室内的被成膜物位于垂直方向上方的所谓的向下沉积方式的真空蒸镀装置。
背景技术
这种真空蒸镀装置例如在专利文献1中已知。其中,在真空室的垂直方向下方设置向该真空室的一个方向运送基板的基板运送装置,在其上部相对配置有蒸镀源。蒸镀源具有跨基板设置并收纳蒸镀物质的筒状的容置箱,在容置箱的下部,沿其长度方向以规定的间隔排列设置有蒸镀物质的喷出口。并且,用加热器加热蒸镀物质使其在容置箱内升华或气化,通过使该升华或气化了的蒸镀物质从喷出口向基板喷出,对基板进行成膜。
此处,在容置箱内升华或气化了的蒸镀物质不只是从喷出口向基板喷出,且例如附着堆积在位于喷出口周围的容置箱的外表面部分上。此时,附着堆积的蒸镀物质会成为粒子的发生源。因此,如果如上述以往例子那样,跨基板设置容置箱,则附着在容置箱上的蒸镀物质成为粒子落到下方,产生附着到基板上这样的弊端,从而导致产品产量下降等问题。
【现有技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】专利第4216522号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
鉴于以上内容,本发明的课题是提供一种可尽量减少粒子的影响的所谓向下沉积方式的真空蒸镀装置。
解决技术问题的手段
为解决上述课题,本发明的真空蒸镀装置具有配置在真空室内的蒸镀源,蒸镀源具有容置蒸镀物质的容置箱和加热蒸镀物质使其升华或气化的加热装置;其特征在于:容置箱中设置有喷出升华或气化了的蒸镀物质的蒸气的喷出部,喷出部相对于真空室内的被成膜物位于垂直方向上方,喷出部具有相对于垂直方向斜向下的喷出口,从该喷出口向被成膜物喷出蒸镀物质的蒸气,容置箱偏移设置在远离被成膜物的端部的位置上。
采用本发明,当使在容置箱内升华或气化了的蒸镀物质从喷出口向基板喷出时,即使蒸镀物质也附着堆积在容置箱的外表面上,这成为粒子的发生源落到下方,但由于容置箱偏移设置,所以难以附着在被成膜物上。从而可尽量减小粒子的影响。
在本发明中,优选所述加热装置加热所述容置箱并通过来自该容置箱的辐射热加热所述蒸镀物质的装置。由此,即使蒸镀物质附着在容置箱的外表面上,但由于容置箱本身被加热,蒸镀物质被再次升华或气化。因此,难以形成粒子的发生源,这是有利的。
再有,优选具有在垂直方向上往返移动自如的挡板,其靠近所述喷出口配置并防止来自该喷出口的蒸镀物质的蒸气向被成膜物喷出,挡板在远离被成膜物的端部的方向上偏移设置。由此,可实现即使挡板上附着的蒸镀物质成为粒子落到下方,也难以附着在被成膜物上。
再有,优选被成膜物具有水平设置的保持部。此处,所谓的水平不是指严格地水平,而是指实质上水平。进而,优选还具有驱动装置,其以垂直方向的轴线为中心旋转驱动所述保持部。由此,可改善薄膜厚度分布。
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