[发明专利]用于反向偏置开关晶体管的方法和装置有效
申请号: | 201780038557.6 | 申请日: | 2017-05-24 |
公开(公告)号: | CN109314097B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | S·格科特佩里 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;罗利娜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种集成射频(RF)电路结构可以包括在隔离层的第一表面上的有源器件。集成RF电路结构还可以包括在隔离层的与第一表面相对的第二表面上的反向偏置金属化。有源器件的本体被反向偏置金属化偏置。集成RF电路结构还可以包括在有源器件上的正面介电层上的处理基底。 | ||
搜索关键词: | 用于 反向 偏置 开关 晶体管 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种集成射频(RF)电路结构,包括:在隔离层的第一表面上的有源器件;在所述隔离层的与所述第一表面相对的第二表面上的反向偏置金属化,其中所述有源器件的本体被所述反向偏置金属化偏置;以及在所述有源器件上的正面介电层上的处理基底。
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