[发明专利]用于反向偏置开关晶体管的方法和装置

说明书

一种集成射频(RF)电路结构可以包括在隔离层的第一表面上的有源器件。集成RF电路结构还可以包括在隔离层的与第一表面相对的第二表面上的反向偏置金属化。有源器件的本体被反向偏置金属化偏置。集成RF电路结构还可以包括在有源器件上的正面介电层上的处理基底。

技术领域

本公开总体上涉及集成电路(IC)。更具体地，本公开涉及用于反向偏置开关晶体管的方法和装置。

背景技术

推动无线通信行业的一个目标是为消费者提供增长的带宽。在当前一代通信中使用载波聚合为实现该目标提供了一种可能的解决方案。载波聚合使得具有在特定地理区域中的两个频带(例如，700MHz和2GHz)的许可的无线载波能够通过同时使用两个频率用于单个通信流来最大化带宽。虽然向终端用户提供了增长的数据量，但由于用于数据传输的频率的原因，在谐波频率处产生的噪声使载波聚合实现变得复杂。例如，700MHz传输可能会产生2.1GHz处的谐波，这干扰在2GHz频率处的数据广播。

对于无线通信，无源器件被用于在载波聚合系统中处理信号。在载波聚合系统中，利用高频带和低频带来通信信号。在芯片组中，无源器件(例如，双工器)通常插在天线与调谐器(或射频(RF)开关)之间，以确保高性能。通常，双工器设计包括电感器和电容器。双工器可以通过使用具有高品质(Q)因子的电感器和电容器来实现高性能。还可以通过减少组件之间的电磁耦合来获取高性能双工器，这样的电磁耦合可以通过组件的几何形状和方向的布置来实现。

出于成本和功耗考虑，包括高性能双工器的移动RF芯片设计(例如，移动RF收发器)已经迁移到深亚微米工艺节点。这样的移动RF收发器的设计在这个深亚微米工艺节点变得复杂。这些移动RF收发器的设计复杂性由于用于支持通信增强(诸如载波聚合)的增加的电路功能而进一步复杂化。移动RF收发器的进一步设计挑战包括模拟/RF性能考虑因素，包括不匹配、噪声和其他性能考虑。这些移动RF收发器的设计包括附加无源器件的使用，例如，以便抑制谐振，和/或执行滤波、旁路和耦合。

发明内容

一种集成射频(RF)电路结构可以包括在隔离层的第一表面上的有源器件。集成RF电路结构还可以包括在隔离层的与第一表面相对的第二表面上的反向偏置金属化。有源器件的本体被反向偏置金属化偏置。集成RF电路结构还可以包括在有源器件上的正面介电层上的处理基底。

一种构造集成RF电路结构的方法可以包括制造由隔离层的第一表面支撑并且设置在牺牲基底上的有源器件。该方法还可以包括在有源器件上沉积正面介电层。该方法还可以包括将处理基底接合到正面介电层。该方法还可以包括去除牺牲基底。该方法还可以包括在隔离层的与第一表面相对的第二表面上制造反向偏置金属化。有源器件的本体被反向偏置金属化偏置。

一种集成RF电路结构可以包括在隔离层的第一表面上的有源器件。集成RF电路结构还可以包括用于对布置在隔离层的与第一表面相对的第二表面上的有源器件的本体进行反向偏置的部件。集成RF电路结构还可以包括设置在有源器件上的正面介电层上的处理基底。

一种RF前端模块可以包括集成RF电路结构。集成RF电路结构可以包括在隔离层的第一表面上的开关晶体管。集成RF电路结构还可以包括在隔离层的与第一表面相对的第二表面上的反向偏置金属化。开关晶体管的本体被反向偏置金属化偏置。集成RF电路结构还可以包括在设置在开关晶体管上的正面介电层上的处理基底。集成RF前端模块还可以包括耦合到开关晶体管的输出的天线。

这已经相当广泛地概述了本公开的特征和技术优点，以便可以更好地理解随后的具体实施方式。下面将描述本公开的附加特征和优点。本领域技术人员应当理解，本公开可以容易地被用作修改或设计用于实现本公开的相同目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应当认识到，这样的等效构造没有脱离所附权利要求中阐述的本公开的教导。当结合附图考虑时，从以下描述将更好地理解被认为是本公开的特点的新颖特征，涉及本公开的组织和操作方法两者以及其他目的和优点。然而，应当清楚地理解，每个附图被提供仅用于说明和描述的目的，而无意作为本公开的范围的定义。

附图说明