[发明专利]用于反向偏置开关晶体管的方法和装置有效
申请号: | 201780038557.6 | 申请日: | 2017-05-24 |
公开(公告)号: | CN109314097B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | S·格科特佩里 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;罗利娜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 反向 偏置 开关 晶体管 方法 装置 | ||
1.一种集成射频(RF)电路结构,包括:
在隔离层的第一表面上的有源器件;
在所述隔离层的与所述第一表面相对的第二表面上的反向偏置金属化,其中所述有源器件的本体通过所述反向偏置金属化的接近被偏置,并且其中所述反向偏置金属化包括在所述有源器件的源极/漏极区域附近的切除部分,以增加所述反向偏置金属化与所述有源器件的所述源极/漏极区域之间的距离;以及
在所述有源器件上的正面介电层上的处理基底。
2.根据权利要求1所述的集成RF电路结构,其中所述反向偏置金属化包括在所述隔离层的所述第二表面上的背面介电层中的金属化层。
3.根据权利要求1所述的集成RF电路结构,还包括耦合到所述有源器件并且布置在所述正面介电层中的至少一个正面金属化,所述至少一个正面金属化远离所述反向偏置金属化。
4.根据权利要求1所述的集成RF电路结构,其中所述有源器件是RF开关的一部分。
5.根据权利要求1所述的集成RF电路结构,还包括:
在所述正面介电层与所述处理基底之间的富陷阱层。
6.根据权利要求1所述的集成RF电路结构,其中所述本体独立地被偏置或者被偏置到所述有源器件的栅极。
7.根据权利要求1所述的集成RF电路结构,其中所述处理基底包括至少一个其他有源器件或无源器件。
8.根据权利要求1所述的集成RF电路结构,被集成到RF前端模块中,所述RF前端模块被并入到以下中的至少一个:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、移动电话和便携式计算机。
9.一种构造集成射频(RF)电路结构的方法,包括:
制造由隔离层的第一表面支撑并且被设置在牺牲基底上的有源器件;
在所述有源器件上沉积正面介电层;
将处理基底接合到所述正面介电层;
去除所述牺牲基底;
在所述隔离层的与所述第一表面相对的第二表面上制造反向偏置金属化,其中所述有源器件的本体通过所述反向偏置金属化的接近被偏置;以及
连结所述有源器件的栅极和所述有源器件的本体。
10.根据权利要求9所述的方法,其中制造所述反向偏置金属化包括:
在所述隔离层上沉积第一背面介电层;
根据所述有源器件的所述本体来图案化所述第一背面介电层;以及
在经图案化的所述第一背面介电层内沉积背面金属化,以形成所述反向偏置金属化。
11.根据权利要求10所述的方法,还包括:
在所述有源器件的源极/漏极区域附近蚀刻所述反向偏置金属化;
将所述第一背面介电层沉积在所述反向偏置金属化的蚀刻部分内;
在所述第一背面介电层和所述反向偏置金属化上沉积第二背面介电层;
图案化和蚀刻所述第二背面介电层以暴露所述反向偏置金属化的部分;以及
沉积所述背面金属化,以在所述有源器件的所述源极/漏极区域附近形成所述反向偏置金属化的切除部分,以增加所述反向偏置金属化与所述有源器件的所述源极/漏极区域之间的距离。
12.根据权利要求9所述的方法,其中接合所述处理基底还包括:
在所述正面介电层上沉积富陷阱层;以及
将所述处理基底接合到所述富陷阱层。
13.根据权利要求9所述的方法,还包括将所述集成RF电路结构集成到RF前端模块中,所述RF前端模块被并入到以下中的至少一个:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、移动电话和便携式计算机。
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