[发明专利]在促进扩散环境中在过大气压力工艺中的缝修复方法有效
| 申请号： | 201780032897.8 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN109196634B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 贝纳切克·梅巴克;肖恩·S·康;基思·塔特森·王;任河;梅裕尔·B·奈克;怡利·Y·叶;斯里尼瓦斯·D·内曼尼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/324;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容的方面包括处理基板以移除来自形成在基板上的互连的空隙、缝和晶界中的一种或多种的方法。所述方法包括在加压至过大气压力的环境中加热基板。在一个例子中，可在含氢气氛中加热所述基板。 | ||
| 搜索关键词： | 促进 扩散 环境 大气压力 工艺 中的 修复 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理基板的方法，包含以下步骤：将所述基板定位在处理腔室中，所述基板具有形成在所述基板上的互连，所述互连包括导电材料，所述导电材料具有在所述导电材料中的缝或空隙中的一种或多种；将所述基板加热至约300℃至约400℃的温度；和将所述基板暴露至在约12巴至约50巴的压力的含氢气氛。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
