[发明专利]在促进扩散环境中在过大气压力工艺中的缝修复方法

权利要求书

1.一种处理基板的方法，包含以下步骤：

将所述基板定位在处理腔室中，所述基板具有形成在所述基板上的互连，所述互连包括导电材料，所述导电材料具有在所述导电材料中的缝或空隙中的一种或多种；

将所述基板加热至300℃至400℃的温度；和

将所述基板暴露至在12巴至50巴的压力的含氢气氛。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述含氢气氛包括在3.5原子百分比至4.5原子百分比的范围之内存在的氢。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述含氢气氛进一步包含双原子氮或氩。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述含氢气氛包括在1原子百分比至100原子百分比的范围之内存在的氢。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：修复所述缝或空隙。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述互连进一步包含晶界。

7.如权利要求6所述的方法，进一步包含以下步骤：减少所述晶界。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述导电材料是金属。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述金属是钴、铜、钌或铝。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述含氢气氛进一步包含氘。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述含氢气氛包含在2原子百分比至5原子百分比之间的范围中的氘。

12.一种处理基板的方法，包含以下步骤：

将所述基板定位在工艺腔室中，所述基板具有形成在所述基板上的互连，所述互连包括导电材料，所述导电材料具有在所述导电材料中的缝或空隙中的一种或多种；

将所述基板加热至250℃至400℃的温度；和

将所述基板暴露至在12巴至50巴的压力的含氢气氛。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述互连进一步包含晶界，并且其中所述含氢气氛具有在12巴至20巴的范围内的压力，其中所述含氢气氛进一步包含双原子氮或氩。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述基板被加热至在300℃至400℃的范围内的温度，其中所述含氢气氛具有在12巴至15巴的范围内的压力，并且其中所述含氢气氛包括在3.5原子百分比至4.5原子百分比的范围之内存在的氢。

15.如权利要求14所述的方法，进一步包含以下步骤：减少所述晶界并且修复所述缝或空隙。

16.一种处理基板的方法，包含以下步骤：

在基板上形成互连，所述互连包括导电材料，所述导电材料具有在所述导电材料中的缝或空隙中的一种或多种；和

在形成所述互连后，修复所述缝或空隙中的一种或多种，所述修复步骤包含以下步骤：

将所述基板加热至250℃至400℃的温度；和

将所述基板暴露至在12巴至20巴的压力的含氢气氛。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述含氢气氛包括在1原子百分比至100原子百分比的范围之内存在的氢，其中所述含氢气氛进一步包含双原子氮。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述氢在3.5原子百分比至4.5原子百分比的范围之内存在。

19.如权利要求17所述的方法，其中所述基板被加热至在300℃至400℃的范围之内的温度。