[发明专利]半导体装置的制造方法和制造装置有效
| 申请号: | 201780032715.7 | 申请日: | 2017-03-21 |
| 公开(公告)号: | CN109155261B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
| 发明(设计)人: | 朝日昇;仁村将次 | 申请(专利权)人: | 东丽工程株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H05K3/34 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 课题在于提高半导体装置制造中的生产率。具体而言,半导体装置的制造方法将半导体芯片(4)和基板(1)电连接,在半导体芯片(4)的第2主面上形成有凸块(5),在基板(1)的第1主面上形成有电极焊盘(2),该半导体装置的制造方法构成为具有如下的工序:(A)临时配置工序,得到借助粘接剂(7)使凸块(5)与电极焊盘(2)对置而成的临时配置体(8);(B)检查工序,对临时配置体(8)中的半导体芯片(4)的位置偏移进行检查,确定位置偏移半导体芯片,该位置偏移半导体芯片的位置偏移不在规定的范围内;(C)位置修正工序,若存在位置偏移半导体芯片,则使该位置偏移半导体芯片移动而对位置进行修正;以及(D)连接工序,对临时配置体(8)中的半导体芯片(4)进行加热、加压而将该半导体芯片(4)的凸块(5)与基板(1)的电极焊盘(2)电连接,并且使粘接剂(7)硬化。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,将半导体芯片与基板电连接,其特征在于,在所述半导体芯片的第2主面上形成有凸块,在所述基板的第1主面上形成有电极焊盘,该半导体装置的制造方法具有如下的工序:(A)临时配置工序,得到多个临时配置体,该临时配置体是借助粘接剂使所述凸块与所述电极焊盘对置而成的;(B)检查工序,对所述临时配置体中的半导体芯片的位置偏移进行检查,确定位置偏移半导体芯片,该位置偏移半导体芯片的所述位置偏移不在规定的范围内;(C)位置修正工序,若存在所述位置偏移半导体芯片,则使该位置偏移半导体芯片移动而对位置进行修正;以及(D)连接工序,对所述临时配置体中的半导体芯片进行加热、加压而将该半导体芯片的所述凸块与所述基板的所述电极焊盘电连接,并且使所述粘接剂硬化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





