[发明专利]半导体装置的制造方法和制造装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，将半导体芯片与基板电连接，其特征在于，

在所述半导体芯片的第2主面上形成有凸块，在所述基板的第1主面上形成有电极焊盘，

该半导体装置的制造方法具有如下的工序：

(A)临时配置工序，得到多个临时配置体，该临时配置体是借助粘接剂使所述凸块与所述电极焊盘对置而成的；

(B)检查工序，对所述临时配置体中的半导体芯片的位置偏移进行检查，确定位置偏移半导体芯片，该位置偏移半导体芯片的所述位置偏移不在规定的范围内；

(C)位置修正工序，若存在所述位置偏移半导体芯片，则使该位置偏移半导体芯片移动而对位置进行修正；以及

(D)连接工序，对所述临时配置体中的半导体芯片进行加热、加压而将该半导体芯片的所述凸块与所述基板的所述电极焊盘电连接，并且使所述粘接剂硬化。

2.一种半导体装置的制造方法，得到层叠半导体芯片而成的半导体装置，其特征在于，

在各半导体芯片的第1主面上形成有电极焊盘，在第2主面上形成有凸块，

该半导体装置的制造方法具有如下的工序：

(A)配置工序，使半导体芯片的第1主面朝上而将多个该半导体芯片配置在临时基板上；

(B)临时配置工序，得到多个临时配置体，该临时配置体是借助粘接剂使形成在新的半导体芯片的第2主面上的凸块与形成在所述临时基板上的半导体芯片的第1主面上的电极焊盘对置而成的；

(C)检查工序，对所述临时配置体中的新的半导体芯片的所述凸块和与该凸块对置的所述电极焊盘的位置偏移进行检查，确定位置偏移半导体芯片，该位置偏移半导体芯片的所述位置偏移不在规定的范围内；

(D)位置修正工序，若存在所述位置偏移半导体芯片，则使该位置偏移半导体芯片移动而对位置进行修正；以及

(E)连接工序，一并对所述临时配置体中的各半导体芯片进行加热、加压而将半导体芯片间的凸块与电极焊盘电连接，并且使半导体芯片间的粘接剂硬化。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

重复进行多次所述临时配置工序(B)、所述检查工序(C)和所述位置修正工序(D)。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述粘接剂为热硬化性的非导电性粘接膜(NCF)，在所述位置修正工序(D)中，加热至所述粘接剂发生软化的温度而使该位置偏移半导体芯片移动。

5.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述凸块至少在前端部分具有焊料，该凸块与所对置的电极焊盘之间的间隙为1μm～5μm的范围内。

6.一种半导体装置的制造装置，其将形成在半导体芯片的第2主面上的凸块与形成在基板或其他半导体芯片的第1主面上的电极焊盘电连接，其特征在于，

该半导体装置的制造装置具有：

吸附喷嘴，其对半导体芯片进行吸附而使该半导体芯片移动至基板或其他半导体芯片上，并且对半导体芯片进行加热、加压而临时配置在基板或其他半导体芯片的第1主面上；

拍摄装置，其对所述半导体芯片和所述基板或其他半导体芯片进行拍摄；

压接头，其对借助粘接剂而层叠在所述基板或其他半导体芯片的第1主面上的所述半导体芯片进行加热、加压而将所述凸块与所述电极焊盘电连接，并且使所述粘接剂硬化；以及

控制部，其对所述吸附喷嘴、所述拍摄装置以及所述压接头进行控制，

所述控制部具有：

临时配置处理部，其对所述吸附喷嘴进行控制从而借助粘接剂使所述凸块与所述电极焊盘对置而形成临时配置体；

检查处理部，其根据所述拍摄装置所拍摄的图像，对所述临时配置体中的半导体芯片与所述基板或其他半导体芯片的位置偏移进行检查，确定位置偏移半导体芯片；

位置修正处理部，其对所述吸附喷嘴进行控制，从而使该位置偏移半导体芯片移动而进行位置修正；以及

连接处理部，其对所述压接头进行控制，从而将所述凸块与所述电极焊盘电连接，并且使所述粘接剂硬化。