[发明专利]双极半导体可控整流器在审
| 申请号： | 201780028526.2 | 申请日： | 2017-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN109075188A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | A·C·阿帕索瓦米;S·菲利普斯 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在所描述的实例中，高电压双极半导体可控整流器SCR(100)包含：发射极区(102)，其具有第一极性且上覆于具有不同于所述第一极性的第二极性的基极区(104)；集电极区(106、108)，其具有所述第一极性且处于所述基极区(104)之下；阳极区(114、116、120)，其具有所述第二极性；第一沉降区(118)，其具有所述第一极性且接触所述集电极区(106、108)，其中所述阳极区(114、116、120)在所述第一沉降区(118)与所述基极区(104)之间；以及第二沉降区(112)，其具有所述第一极性且接触所述集电极区(106、108、110)，所述第二沉降区(112)处于所述阳极区(114、116、120)与所述基极区(104)之间，其中所述阳极区(114、116、120)的延伸部(120)在所述第二沉降区(112)的部分之下延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 沉降区 基极区 阳极区 集电极区 半导体可控整流器 双极 发射极区 高电压 延伸部 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种高电压双极半导体可控整流器SCR，其包括：发射极区，其具有第一极性且上覆于具有不同于所述第一极性的第二极性的基极区；集电极区，其具有所述第一极性且处于所述基极区之下；阳极区，其具有所述第二极性；第一沉降区，其具有所述第一极性且接触所述集电极区，其中所述阳极区在所述第一沉降区与所述基极区之间；以及第二沉降区，其具有所述第一极性且接触所述集电极区，所述第二沉降区处于所述阳极区与所述基极区之间，其中所述阳极区的延伸部在所述第二沉降区的部分之下延伸。
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